Padrões de interferência na força do oscilador generalizado
TEO
Oral
Alexandre B. Rocha
Universidade Federal do Rio de Janeiro
Mario Barbatti
Universidade de Viena
Carlos E. Bielschowsky
Universidade Federal do Rio de Janeiro
Os processos de excitação de elétrons de camada interna são caracterizados
por um estado de partida muito localizado em torno de um determinado
átomo numa molécula. Estes elétrons podem ser excitados por radiação
sı́ncrotron ou por colisão com elétrons de alta energia, o que dá origem á
espectroscopia de perda de energia de elétrons. Em moléculas com átomos
equivalentes, como por exemplo N2 , se considerarmos a transição eletrônica
a partir dos orbitais 1s, a que questã que se coloca é de qual dos dois átomos
partirá o elétron. Este é um problema semelhante ao de dupla fenda, onde
um fóton ou um elétron passa por um sistema de duas fendas e gera um
padrão de interferência das ondas espalhadas. No caso que estamos considerando, um elétron de alta energia colide com a molécula que possui
átomos equivalentes excitando um elétron de um estado 1s e gerando um
padrão de interferência semelhante ao da dupla fenda. Esta manifestação de
coerência quanto-meânica no espalhamento do elétron se verifica pelo aparecimento de oscilações na força do oscilador generalizado (FOG) que uma é
uma grandeza proporcional a seção de choque diferencial com o ângulo do
elétron espalhado. Fizemos cálculos, dentro da primeira aproximação de
Born, que previam o aparecimento de oscilações na FOG para estados 1s
do oxigênio na molécula de CO2 [1]. Estas oscilações já foram verificadas
experimentalmente [2]. Estamos estendendo nosso estudo e aprofundando
a analogia deste fenômeno com o de dupla fenda. Por exemplo, o butadieno tem quatro átomos de carbono, sendo que os dois átomos centrais são
equivalentes por simetria, o mesmo ocorrendo com os da extremidade. O que
nossos cálculos indicam é que o perı́odo de oscilação é diferente em cada caso,
mostrando uma dependência com relação á distância entre os átomos espalhadores (distância entre as fendas, por analogia). A FOG é proporcional ao
quadrado do módulo do elemento de matriz da amplitude de espalhamento
entre os estados eletrônicos final e inicial. As funções de onda para os estados eletrônicos são calculadas pelo método de interação de configurações, nas
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formas SDCI [3] ou GMS [4]. Referêcias: 1. Eustatiu et al. Phys. Rev. A,
61, 042505 (2000). 2. Tyliszczak et al. J. El. Spect. Relat. Phenom. 114, 93
(2001). 3. Shavitt, I. in Methods of Electronic Structure, Modern Theoretical Chemistry, H. F. Schaeffer III (editor), vol. 3, Plenum, New York(1977).
4. Hollauer, E.; Nascimento, M.A .C.; J. Chem. Phys., 99, 1207 (1993).
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