Aula -12 Condução elétrica em sólidos Curso de Física Geral F-428 A diversidade atômica Os sólidos cristalinos Os sólidos cristalinos: Exemplos em uma pequena janela Os sólidos cristalinos: Exemplos em uma pequena janela A diversidade das ligas Os estados quânticos num cristal 2 2 ( x ) U ( x ) ( x ) E ( x ) 2 2m x a Potencialdereal Potencial “Kronig-Penney” Soluções • Auto energias & • Novos números quânticos: os vetores de onda Abertura de intervalos proibidos : os gaps Solução para o elétron livre p 2 2k 2 E 2m 2m Um outro jeito de representar Um exemplo em 3-D: GaAs Soluções simuladas http://www.falstad.com/qm1dcrystal/ • • • • Observe: transição poço quântico - potencial periódico Largura das bandas: largura das barreiras ou distância entre poços Tamanho dos gaps: idem Periodicidade da densidade de estados Como os estados são preenchidos? Suponha que cada poço (átomo) contribua com dois elétrons: Temos um semicondutor ou isolante Como esses estados são preenchidos? Suponha que cada poço (átomo) contribua com 3 elétrons: Temos um metal! EF Um exemplo em 3-D: GaAs Banda de condução Banda de valência Elétrons de caroço Elétrons de caroço Propriedades de transporte (ex.: condutividade) dependem de... • Estrutura eletrônica + ocupação dos estados; • Densidade dos portadores de carga; • Espalhamento dos portadores de carga; • Resposta aos campos externos. J E Sistema isotrópico e *n m Tempo de espalhamento Densidade de portadores Estrutura eletrônica (massa efetiva) 2 Condutividade versus temperatura Isolantes e semicondutores ( aumento do número de portadores ) Metais ( número de portadores constante com T ) Temperatura Números típicos a temperatura ambiente Tipo Unidade resistividade Metal Semicondutor (Cobre) (Silício) Ω.m 2 x 10-8 3 x 103 m-3 9 x 1028 1 x 1016 1 Concentração de portadores de carga n nel. cond . onde: nel.cond . nat . nel.val. Vol. M amostra nat . N Avogadro M molar Densidade de portadores I Semicondutor Metal EF Distribuição de Fermi Dirac: 1 f (E) 1 e ( E EF ) kB T • Densidade de estados quânticos [ No. de estados / (m3.Joule) ] : 8 2 m 3 / 2 1 / 2 N (E) E 3 h • Probabilidade de ocupação P(E) [ Estatística de Fermi-Dirac] : P( E ) 1 1 e ( E E F ) / k BT • Densidade de estados ocupados: N 0 ( E ) N ( E ) P( E ) 8 2 m 3 / 2 1 / 2 N (E) E 3 h Para T = 0, o No. de elétrons de condução do metal (p. unid. de vol.) será: 8 2 m n N 0 ( E ) dE 3 h 0 EF 3/ 2 3/ 2 2 E 8 2 m 1/ 2 F E dE 0 h3 3 3 / 2 EF Onde usamos que N0(E) = N(E), pois P(E) = 1 em T = 0 Portanto, em T = 0: 3 EF 16 2 2/3 h 2 2 / 3 0.121 h 2 2 / 3 n n m m Densidade de portadores II • • • • Em metais n não varia com T Em metais qualquer perturbação faz as cargas se deslocarem Em semicondutores n varia com T Em semicondutores os portadores precisam ser criados com gasto finito de energia Isolantes e semicondutores ( aumento do número de portadores ) Metais ( número de portadores constante com T ) Temperatura Densidade de portadores III • Como aumentar o número de portadores de carga em semicondutores ? Semicondutores dopados Semicondutor Semicondutor + Nova energia de Fermi + Semicondutor tipo p Semicondutor tipo n Portadores em maioria e minoria Semicondutor n Semicondutor p Portadores majoritários T finita Portadores minoritários Semicondutores dopados II • Concentração de portadores de carga em semicondutores intrínsecos: ≈ 1016 m-3 • Concentração de portadores de carga em semicondutores dopados: ≤ 1025 m-3 Ainda assim : 1/1000 do cobre ! Junções p-n Semicondutor p Semicondutor n + + Junções p-n Semicondutor p Semicondutor n + + Junções p-n p n Semicondutor p Semicondutor n p n + + O Diodo Retificador p n p n Circuito Retificador O Diodo Emissor de Luz (LED: Light-Emitting Diode) p c c hc f Eg / h Eg Recombinação n p Corte de um LED (detalhe) O Laser Semicondutor c c hc f Eg / h Eg Espelho semitransparente p Recombinação n Coerente Espelho Transistores de efeito de campo http://tech-www.informatik.uni-hamburg.de/applets/cmos/cmosdemo.html