Oficina de Microfabricação:
Projeto e Construção de CI´s MOS
Temas
• Seminários:
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Conceitos de Semicondutores
Teoria de Dispositivos
Conceitos de Processos de Fabricação
Projeto de Processo e Dispositivo
Projeto de CI´s
Microssistemas
• CAD
– Simulação de Processos e Dispositivos
– Projeto de CI´s
Temas - cont.
• Laboratório de Fabricação
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Etapas de Processos
Integração de Processo nMOS e pMOS.
Medidas de caracterização de processo
Visitas a laboratórios: CCS, LPD e ITI
• Laboratório de Medidas Elétricas:
– Chip didático da U. de Edinburg
– Chip didático CCS fabricado.
Instrutures
• Seminários:
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Prof. Doi - CCS
Prof. Jacobus - CCS
Dr. Diniz - CCS
Dr. Stanislav - CCS
Dr. Moreira - LSI/USP
Eng Emílio Bortolucci - CCS
Dr. Luiz Otávio - LNLS
Instrutores - cont.
• Laboratório de
Fabricação
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Prof. Doi
Dr. Diniz
Dra. Maria Beny
Godoy
Mara
Regina
Eudoxio
• Medidas Elétricas
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Dr. Diniz
Dra. Maria Beny
Rosana
Leandro
• CAD
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Hugo
Emílio
Moreira
Leandro
Apostila - Sumário
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. Evolução de Microeletrônica a Microssistemas
. Conceitos Básicos para Semicondutores
. Semicondutores
. Capacitor MOS
. Transistor MOSFET
. Escalamento e Limites dos Dispositivos MOS
. Integração de Processos: CMOS em Si
. Estruturas de Dispositivos Semicondutores
. Plasma Etching
. Deposição de Filmes Finos
. Conceitos de Vácuo
.Projeto de Processos e Dispositivos
Apostila - Sumário - cont.
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.Microssistemas: Fabricação e Aplicações
.Introdução à Tecnologia LIGA
.Projeto de CI´s MOS.
.Descrição do Processo MOS do CCS
.Descrição do Chip Didático CCS2
.Descrição das Medidas dos Dispositivos
.Elaboração de Relatório.
.Enquête de Opinião.
Enquete de Opinião
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Dê uma nota de 0 a 10 em cada quadro abaixo. No item conteúdo, além da nota, acrescentar também um
dos qualificativos: R (reduzido), A (apropriado) ou D (demasiado).
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Tema
Instrutores
Rev. Semicondutores Jacobus
Rev. MOS
Diniz
Modelo de oxidação Jacobus
Integração processos Jacobus
Difusão e implantaçãoJacobus
Etching úmido e seco Stanislav
Descrição SUPREM Emílio
Descrição PISCES Emílioa
Processos CVD
Doi
Cargas SiO2/Si
Diniz
Vácuo e Metalização Doi
Projeto CI´s
Moreira
Programa Microeletr. Moreira
Evolução de MicroeletJacobus
Microssensores
Luiz Ot’svio
LIGA
Luiz Otávio
Lab. de Fabricação Vários
Medidas físicas/proc. Mara
LabSUPREM/PISCESHugo, Paula
Lab. medidas CMOS Diniz, Beny
Lab. medidas MOS Diniz, Beny
Lab. projeto CI´s
Moreira
Visita ao LPD
Beny e Stanislav
Visita ao CTI
Doi, outros
Relatório
Nota geral do curso
Conteúdo
Apresentação
Integração de Processos
A) Processo nMOS e pMOS
CCS/UNICAMP
Lâminas:
• Orientação (100)
• tipo:
– p para nMOS
– n para pMOS
• resistividade:
– 4 a 9 .cm para lâmina n
– 11 a 22 .cm para lâmina p
• Limpeza RCA completa.
Oxidação Inicial
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1000 °C
H2O + O2
3h
Xox = 0.7 m
MOS Technology
Máscara CCS2
Máscara CCS2
Máscara CCS01
Sugestões e Avisos
• Não hesitem em fazer perguntas!
• Cuidado nos laboratórios:
– produtos químicos
– gases
– equipamentos sofisticados.
• Aproveitem bem o curso.