RECOBRIMENTOS CRISTALINOS E BIOATIVOS DE HIDROXIAPATITA : UMA ABORDAGEM ORIGINAL COM MAGNETRON SPUTTERING EM ÂNGULO RETO (RAMS) (INOVAÇÃO) ALEXANDRE MELLO CENTRO BRASILEIRO DE PESQUISAS FÍSICAS INSTITUTO MILITAR DE ENGENHARIA Dep. Ciências dos Materiais 05/09/2007 DEMANDA E IDENTIFICAÇÃO DO PROBLEMA IMPLANTES METÁLICOS E POLIMÉRICOS NO MERCADO: AISI 316L, Ti, TiAlV , UHMWPE , NiTi APLICAÇÃO CLÍNICA: ORTOPEDIA, ODONTOLOGIA E CARDIOLOGIA METAIS E POLÍMEROS BIOINERTES MATERIAIS BIOATIVOS OU BIOCOMPATÍVEIS TOLERADOS PELO CORPO FORMAÇÃO DE TECIDOS FIBROSOS PROMOVEM A INTEGRAÇÃO ÓSSEA E A ÓSSEO CONDUÇÃO REDUZ VIDA ÚTIL NOVA CIRURGIA RECOMPÕEM PARTES ÓSSEAS PERDIDAS 1/25 POSSÍVEL SOLUÇÃO RECOBRIR O IMPLANTE COM UM MATERIAL BIOATIVO OU BIOCOMPATÍVEL QUE TENHA ALTA ADESÃO E PROPRIEDADES FÍSICAS E CLÍNICAS ESPECÍFICAS PARA O FIM A QUE SE DESTINA 2/25 MATERIAL MAIS UTILIZADO: HIDROXIAPATITA HIDROXIAPATITA (HAP): Ca10(PO4)6(OH)2 BIOMATERIAL : Implantes Metálicos e Poliméricos ► Regeneração óssea e Recobrimentos metálicos ABSORVEDOR DE METAIS PESADOS: (Pb, Cd, Hg, V, etc.) DESPOLUIDOR AMBIENTAL E INDUSTRIAL: Absorção e Fixação CATALISADOR: Grande área de superfície dopada com metais (Desidrogenação de álcoois) DOSÍMETRO INDUSTRIAL: Candidato a aplicação 3/25 MÉTODOS DE RECOBRIMENTO Plasma Spray (já comercial) Métodos biomiméticos de imersão em soluções simuladoras de fluidos corpóreos (SBF) Deposição eletroquímica Deposição física por laser pulsado (Laser ablation) Deposição por feixe de elétrons (electron beam) Deposição por feixe iônico (Ion-beam deposition) sol-gel EM GERAL RECOBRIMENTOS COM : # BAIXA ADESÃO AOS IMPLANTES # AMORFOS (MAIOR DISSOLUÇÃO e MENOR INDUÇÃO ÓSSEA), # OUTROS COMPOSTOS ALÉM DA HAP (ALGUNS TÓXICOS) # ALGUNS MÉTODOS POSSUEM ALTO CUSTO OPERACIONAL 4/25 PLASMA SPRAY IMPLANTES METÁLICOS RECOBERTOS POR PLASMA SPRAY Comercialmente disponível mas com resultados clínicos negativos Alta velocidade de produção Recobrimentos espessos, (baixa adesão) Material com baixa cristalinidade e desenvolvimentos de outras fases de fosfatos de cálcio além da HAP Baixa adesão aos substratos metálicos TÉCNICA ALTERNATIVA: PULVERIZAÇÃO CATÓDICA REATIVA ASSISTIDA POR CAMPO MAGNÉTICO CONSTANTE e RADIO FREQUÊNCIA RF MAGNETRON SPUTTERING REATIVO (RFMS) 5/25 RFMS x PLASMA SPRAY O PLASMA SPRAY PRODUZ RECOBRIMENTOS DE HAP COM DECOMPOSIÇÃO EM FASES INFERIORES QUANTO A BIOCOMPATIBILIDADE E SOLUBILIDADE EM MEIO AQUOSO E FISIOLÓGICO Ca/P Nome Fórmula Sigla Toxidade Biocompatibilidade Solubilidade TAB. 3.1 Propriedades químicas de alguns compostos de cálcio 2,0 Tetracálcio Fosfato Ca4P2O9 TTCP Nenhuma Boa Alta 1,67 Hidroxiapatita Ca10(PO4)6(OH)2 HAP Nenhuma Excelente Baixa 1,5 Tricálcio Fosfato (α, β, γ) Ca3(PO4)2 TCP Nenhuma Boa Média 1,0 Pirofosfato de Cálcio (α, β, γ) Ca2P2O7 PYR Nenhuma Boa Baixa - Óxido de Cálcio CaO - Alta Ruim Alta Adaptado de Ozeki et al, (2002) 6/25 RFMS TRADICIONAL RESULTADOS FILMES MAIS ADERENTES E HOMOGÊNEOS BAIXAS TAXAS DE DEPOSIÇÃO (custo) MAIORIA DOS FILMES OBTIDOS SÃO AMORFOS CRISTALINIDADE APÓS RECOZIMENTOS DE 6000C A 10000C ALGUNS FILMES POLICRISTALINOS (MAS NÃO MONOFÁSICOS) COM ALTA POTÊNCIA DE SPUTTERING PRINCIPAL CAUSA DOS RESULTADOS ALVOS COMERCIAIS FEITOS POR PLASMA SPRAY ! RETROPULVERIZAÇÃO DO MATERIAL DEPOSITADO (BACKSPUTTERING) : ALTERAÇÃO QUÍMICA DO RECOBRIMENTO CONCLUSÃO MÉTODO TRADICIONAL DE ALTA TECNOLOGIA, ALTO CUSTO E AINDA SEM SUCESSO NA OBTENÇÃO DE UM RECOBRIMENTO CONTROLADO PARA APLICAÇÕES MÉDICAS. 7/25 SOLUÇÃO PARA O RFMS ► DIMINUIR OU ELIMINAR O BACKSPUTTERING ► AUMENTAR TAXAS DE DEPOSIÇÃO ► MODIFICAR A GEOMETRIA DO RFMS INOVAÇÃO 8/25 MAGNETRON SPUTTERING POR RADIO FREQÜÊNCIA (RFMS) MAGNETRON COMERCIAL Substrato de Si 100) Átomos arrancados do alvo Átomos do alvo depositados O alvo de HAP é cerâmico e não condutor elétrico: Argônio Blindagem aterrada Polo positivo (ground shield) Linhas de campo magnético sobre o alvo Base de cobre suporte dos ímãs e Pólo negativo Anel isolador elétrico Cabo elétrico Pólo negativo Região de confinamento do plasma Alvo ou material de deposição Arranjo de ímãs permanentes de NdFeB Isoladores elétricos de cerâmica Tubos de água de refrigeração Requer campo elétrico Oscilante: F= 13,56MHz Capacitor desbalanceado VC AA VA AC 4 9/25 RFMS EM ÂNGULO RETO (RAMS): ABORDAGEM ORIGINAL PORTA SUBSTRATO COM AQUECEDOR CONTR OLADOR TEM P ER ATUR A MEDIDOR VÁCUO CAPACITIVO MEDIDORES ALTOVÁCUO CÂMARA DE VÁCUO SUBSTRATO H CATODO 1 S O2 CATHODE S N N CATODO 2 Ar ANODO E ANODO BOMBAS DE VÁCUO FONTE DE RF ACOPLADOR 10/25 VANTAGENS DA GEOMETRIA DO SISTEMA RAMS Maior confinamento do plasma Evita a perda de oxigênio e íons PO4- (backsputtering): Restaura a estequiometria Aproxima o substrato dos alvos: Aumenta taxa de deposição Aumenta o carregamento das partículas Não permite a aglomeração desordenada com produção de filmes amorfos ( devido a repulsão eletrostática) Não permite o crescimento das partículas antes de chegarem ao substrato (partículas nanométricas): PRODUZ RECOBRIMENTOS CRISTALINOS DE HAP A TEMPERATURA AMBIENTE Sistema mais compacto e de MENOR CUSTO 11/25 PROTÓTIPO 12/25 SUBSTRATO PLASMA ALVOS DE HAP EM PÓ ALTAMENTE PURA PRENSADA E SINTERIZADA PLASMA Ar + O2 13/25 CARACTERIZAÇÃO DOS RECOBRIMENTOS OBTIDOS XRD de alto ângulo : CBPF, NU SXRD e SXRR ( difração e refletividade c/ Luz Síncrotron):LNLS FTIR: IME, NU e CBPF SEM: IME , NU, UFRJ EDS (SEM): IME XPS e AFM: NU Testes de Dissolução em Meio Aquoso e em Solução Biomimética: CBPF Testes In-Vitro: Cultura de Células e Bioatividade : Inst. Ciências Biomédicas UFRJ 14/25 contagens (cps) contagens (cps) 1000 10 15 20 500 25 30 HAP 35 40 (321) (410) (402) (113) (203) (222) (312) (320) (311) (004) (213) (212) (310) (211) (112) (300) (113) (203) (222) (312) (213) (321) (410) (402) (004) (311) (212) (310) (300) (202) (301) (102) (210) (002) (211) (112) 3000 (202) (301) 0 3000 (002) (200) (111) (110) (101) 2000 (102) (210) (111) (200) (110) (101) 2000 (100) 1000 (100) contagens (cps) SDRX: RECOBRIMENTO DE HAP CRISTALINA PRODUZIDA POR RAMS A TEMPERATURA AMBIENTE Ha/Si(001) 3h 120W não recozida Ha/Si(001) 3h 100W recozida a 400 C o 1000 0 Ha/Si(001) 3h 100W não recozida 0 45 2 (graus) 15/25 MORFOLOGIA DA SUPERFÍCIE DOS FILMES MEV Como produzido Recozido a 900oC 16/25 AFM TOPOGRAFIA RUGOSIDADE(RMS) = 3nm ESPESSURA DE 930nm CONTRASTE DE FASE MATERIAL HOMOGÊNEO 17/25 FTIR 0.06 Si/HAP como produzido _ absorbância (a.u.) 3572 1(OH ) 0.04 0.02 _ (OH ) 3642 _ 3544 (OH ) 0.00 Bandas de OH: FINGERPRINT DA HAP -0.02 3900 3800 3700 3600 3500 -1 número de onda (cm ) 3400 3300 18/25 CULTURA DE CÉLULAS EM DIFERENTES MORFOLOGIAS DE SUBSTRATO 19/25 CONTAGEM DE CÉLULAS 20/25 LINHAS DE ATUAÇÃO: FÍSICA DAS SUPERFÍCIES BIOLOGIA TESTES IN-VIVO INSTRUMENTAÇÃO PATENTE (em andamento) INOVAÇÃO INSTRUMENTAÇÃO PARA UMA SISTEMA DE PRODUÇÃO SERIADA: NOVO SISTEMA AUTOMATIZADO PROTOCOLO DE CARACTERIZAÇÃO FÍSICA DO PLASMA E DOS RECOBRIMENTOS: REPRODUTIBILIDADE ESTUDO DE CUSTOS, PROCESSO E ASS. JURÍDICA DO: NÚCLEO DE INOVAÇÃO TECNOLÓGICA (NIT) DO CBPF: TRANSF.DE TECNOLOGIA 21/25 Mapeamento e prospecção interna à ICT Identificação de clientes atuais Viabilidade de Transferência de Tecnologia e Serviços Estruturação de Produtos e Serviços Levantamento de custos do produto, da pesquisa, de equipamentos Levantamento de preço de mercado/demanda Produtos/ Serviços de Inovação NITRIO Mapeamento e prospecção de mercado Segmentação de mercado Clientes novos e potenciais Criação e levantamento de oportunidades de parcerias Planejamento de ações de comunicação, mídia e eventos Criação do Banco de Dados Mercado Propriedade Intelectual Avaliação de “patenteabilidade” Elaboração, acompanhamento e depósito do pedido de patentes Assessoramento jurídico em propriedade intelectual Elaboração de contratos 22/25 INDICADORES ACADÊMICOS: 3 TRABALHOS JÁ PUBLICADOS 1 PATENTE EM ANDAMENTO 1 TESE DE DOUTORADO 23/25 CENTRO BRASILEIRO DE PESQUISAS FÍSICAS A. Mello, A.M. Rossi LABIOMAT Laboratório de Biomateriais, (Projeto CIAM-CNPq) INSTITUTO MILITAR DE ENGENHARIA Dep. Ciências dos Materiais A. Mello, C.L. Ferreira D.E. Ellis, J.B. Ketterson Northwestern University, Evanston ILUSA (NSF) 24/25