Incorporação de Chumbo em Filmes Finos de
Óxido de Vanádio
Sumaya Ribeiro Baioni
UFPR/TN
Prof. Dr. Ney Mattoso
- Introdução
Os óxidos de vanádio tem uma transição
semicondutor-metal que ocorre a 68ºC, despertando
o interesse na área de tecnologia, por exemplo,
janelas inteligentes.
- Objetivos
Produzir filmes de VO2 com um íon de grande
porte, no caso o chumbo (II); aprimorar o processo
de incorporação de íons de chumbo na matriz do
óxido de vanádio; diminuir o tempo de produção.
- Método
As amostras foram produzidas por deposição
eletroquímica, conforme a figura ao lado. Foram
preparadas 2 soluções aquosas de 100ml com: (i)
0,2 mol/L de Pentóxido de Vanádio e 0,25mol/L
Tris(hidroximetil)propano; (ii) 0,4 mol/Lde Nitrato de
Chumbo II. As duas soluções foram misturadas em
proporção de volume (1ml para cada 1% da mistura
em solução). A solução resultante, foi colocada a
80ºC para produção dos filmes, em um potencial de 1,18V durante 1200s.
- Referências
[1] J.A. Koza, Z. He, A. S. Miller, J. A. Switzer, Chem.
Mater., 23 (2011) 4105..
[2] A. B. Cezar, I. L. Graff, W. H. Schreiner and N.
Mattoso, Electrochemical Solid-Sate Letters, 14
(2011) D23.
- Resultados e Discussão
Fig. 1: Detalhe da célula
eletroquímica utilizada para
a preparação das amostras.
Fig. 2: Amostra de 3,8% de Nit. de
Chumbo em solução. As imagens
foram produzidas no MEV com
elétrons
secundários
(esq.)
e
retroespalhados (dir.). As regiões mais
claras (dir.), revelam a incorporação do
chumbo na amostra.
Fig. 3: Mostra a fração de chumbo
incorporada no filme em função da
fração de nitrato de chumbo na
solução.
-Conclusões
Nesse trabalho, foi possível incorporar o chumbo ao filme de
vanádio, nos intervalos de 2,4% a 5% de nitrato de chumbo em
solução, com uma incorporação de 60 ± 7 Pb at.%.
Além de diminuir pela metade a produção do filme devido ao
uso do Tris(hidroximetil)propano.