Problema 10.1
Considere um inversor CMOS fabricado num processo de 0,25
m em que Cox=6fF/m, nCox= 115 A/V2, pCox= 30 A/V2,
Vtn=-Vtp=0,4V, VDD=2,5V. O W/L de QN é 0,375 m/0,25 m e o
de QP vale 1,125 m/0,25 m. Existe uma sobreposição das
capacidades GS e GD de 0,3 fF/m de largura da porta. O valor
efectivo das capacidades DB são Cdbn=Cdbp=1fF.A capacidade
das interligações vale Cw=0,2 fF. Determine tpHL, tpLH e tp.
Problema 10.3
Considere um inversor pseudo NMOS fabricado num processo
de 0,25 m com os parâmetros do problema 10.1 e com r=9.
Determine:
a) VOH, VOL, VIL, VIH, VM, NMH e NML.
b) (W/L)p
c) Isat e PD
d) tpHL, tpLH e tp assumindo que a capacidade total na saída do
inversor é de 7 fF.