Processo de Fabricação nMOS – Disciplina PSI 2643
1 – Limpeza Química Completa.
6.4 – Corrosão do SiO2.
12 – Recozimento para Ativação de
Dopantes.
2 – Oxidação Térmica Seca.
6.5 – Remoção de todo o FotoResiste.
13 - Deposição de SiO2 – PECVD.
3 – Implantação Iônica 11B+ (Ajuste
de VTH).
7 – Limpeza Química Completa e
Oxidação Térmica Seca.
14 – Fotogravação 3 - Abertura de
Contatos.
4 – Recozimento (Ativação de
Dopantes).
8 – Deposição de Silício
Policristalino.
15 – Deposição de Alumínio.
5 – Deposição de SiO2 – PECVD.
9 – Dopagem do Silício
Policristalino.
6 – Fotogravação 1 – Região Ativa.
16 – Fotogravação 4 – Definição do
Alumínio.
6.1 – Deposição de Fotorresiste.
10 – Fotogravação 2 - Definição do
Silício Poli.
6.2 – Exposição à luz ultravioleta.
17 – Corrosão do SiO2 do verso da
lâmina.
11 - Implantação Iônica 31P+ Fonte/Dreno.
18 – Metalização do verso da
lâmina.
6.3 – Remoção do Foto-Resiste
Sensibilizado.
19- Sinterização do Alumínio.