ELETRÔNICA - Semicondutores
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SEMICONDUTORES
O Transistor é um dispositivo semi condutor. Dispositivos semicondutores são componentes
muito importantes nos modernos circuitos eletrónicos. Basicamente, controlam o fluxo da corrente
elétrica, podendo atuar como simples retificadores ou chaves interruptoras; mas importante mesmo é
que podem variar o fluxo da corrente proporcionalmente a pequenos sinais de controle, fornecendo
desta maneira, amplificação.
NOTA: - Entendemos por sinais em eletrônica, correntes ou tensões muito débeis, que
normalmente necessitam serem amplificados para serem utilizados. Para você ter uma idéia, os sinais
de rádio, captados por uma antena qualquer podem Ter uma tensão na ordem de 1uV (um milésimo de
Volt).
Além do transistor a válvula é o único elemento que pode atuar como elemento amplificador.
Não vamos nos preocupar muito com o estudo das válvulas, pois já se tornou obsoleto. A titulo de
curiosidade, posteriormente vamos lhe explicar o funcionamento básico.
O semicondutor é essencialmente um cristal sólido através do qual passa a corrente elétrica que
deve ser controlada. È pequeno, não requer aquecimento como a válvula, não possui peças móveis
como os interruptores, relés e potenciômetros.
Por todas essas razões, o uso de dispositivos eletrônicos com semicondutores tornou possível
avanços sem procedentes da tecnologia, quanto ao pequeno tamanho, eficiência e desempenho dos
equipamentos eletrônicos modernos.
O ÁTOMO
O funcionamento dos dispositivos semicondutores está baseado na disposição dos átomos dos
elementos usados na sua fabricação. Já vimos que o átomo é constituído de três partículas iguais,
prótons, nêutrons, elétrons. Os prótons e os nêutrons se agrupam, formando o núcleo do átomo. Os
elétrons são partículas mais leves, tem sua orbita em torno do núcleo do átomo. Alem de terem carga
elétrica possuem energia cinética, isto é, energia de movimento. Estão em continuo movimento em
torno do núcleo, que está parado. Os elétrons possuem carga elétrica negativa, todos os elétrons são
iguais, isto é, possuem a mesma massa e a mesma carga elétrica, independente do átomo a que
pertencem. Os prótons possuem carga elétrica positiva e também apresentam carga e massa uniforme.
A carga elétrica do próton numericamente igual a carga do elétron, mas a sua massa é 1800 vezes
maior que a do elétron. Nêutrons são partículas sem carga elétrica, e apresentam massa ligeiramente
maior do que a massa de um próton.
O número de prótons é que determina a quantidade da carga elétrica do núcleo. É também o
número de prótons que indica os diversos tipos de átomos (cerca de 100) que existem na natureza.
Num átomo normal, o número de elétrons girando em torno do núcleo é igual ao numero de
prótons existentes no núcleo. Um átomo normal então é eletricamente neutro.
O elétron não é atraído para o núcleo do átomo (lembre-se que cargas elétricas diferentes se
atraem) porque a força de atração existente entre os elétrons e o núcleo do átomo é contrabalançada
pela força centrifuga gerada pelo movimento dos elétrons em sua orbita. A força com que as cargas
elétricas se atraem ou se repelem é chamada força iônica.
Como os elétrons tem diferentes níveis de energia cinética eles giram em órbitas diferentes, em
camadas eletrônicas distintas em torno do núcleo do átomo.
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Não existem colisões entre elétrons de uma mesma camada. Devido às forças iônicas, que
também limitam o número máximo de elétrons em cada camada.
Fig.01
CAMADAS DE VALÊNCIA – Mesmo em temperaturas normais, alguns elétrons das camadas
de maior energia (a mais externa) recebem energia térmica adicional, muitas vezes suficientes para
romper a força de atração do núcleo, permitindo ao elétron abandonar sua órbita e vagar de uma átomo
para outro dentro do material num movimento desordenado. Na verdade, um átomo não fica muito
tempo com falta de um elétron. Quando o elétron se desprende, outro elétron “”viajante” logo vem
ocupar seu lugar, de modo que distribuição de elétrons no átomo permanece inalterada. Os elétrons de
camadas mais externas são geralmente os responsáveis pelas ações elétricas e químicas entre os
átomos, e são chamados elétrons de valências, porque determinam a valência ou poder de combinação
química do átomo.
Fig. 02
A ultima camada de um átomo é a sua de camada de maior energia e é chamada camada de
valência, porque é nela que se movem os elétrons de valência. A valência de um átomo pode ser
considerada como sendo a quantidade de elétrons que sua camada de valência pode aceitar ou doar para
se completar. O átomo de hidrogênio é o mais simples de todos, tem apenas um elétron, cuja órbita está
na primeira camada, a mais próxima do núcleo. Como tem facilidade em ceder este elétron, nas reações
químicas, sua valência é +1; (porque perdendo 1 elétron ficará com carga elétrica positiva, equivalente
a carga de 1 próton). O hélio já possuem 2 elétrons que também estão na sua primeira camada. Como
esta camada se completa com 2 elétron, o hélio não pode receber nem doar elétrons, sendo
quimicamente inerte. Por esta razão sua valência é zero. O lítio tem 3 elétrons. Dois completam a
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primeira camada, o terceiro tem sua órbita na segunda camada, e pode facilmente ser liberado. Esse
elétron determina a valência +1 para o lítio.
O berílio, tem 2 elétrons na segunda camada; como ele tem facilidade em ceder estes 2 elétrons
sua valência é +2. O boro tem 3 elétrons na segunda camada , e sua valência +3.
Fig. 03
O carbono tem 4 elétrons na segunda camada. Como esta camada pode receber até 8 elétrons o
carbono pode ceder ou receber quatro elétrons com a mesma facilidade. Se ele doar quatro elétrons
ficará estável porque a sua 1ª camada estará completa, com dois elétrons. Sua valência será +4. Se
receber quatro elétrons, também ficará estável porque sua Segunda camada terá o número máximo de
elétrons possível, que são 8. Sua valência, neste caso, será menos quatro (-4).
O nitrogênio tem 5 elétrons na sua camada de valência, e facilidade de receber três elétrons.
Logo sua valência é –3.
Da mesma forma o oxigênio com 6 elétrons na sua camada de valência aceita facilmente 2
elétrons; sua valência, é, portanto, menos dois.
Fig. 04
A valência do flúor, com 7 elétrons na sua camada de valência, será –1. E o Neônio, com sua
primeira e segunda camadas completas, e sem nenhum elétron na terceira camada, tem valência zero. O
ciclo começa novamente com sódio, que possui as duas primeiras camadas completas, mas tem um
elétron na sua primeira camada. Como sede facilmente este elétron, sua valência é mais 1.
Continuando a analisar os átomos, Na sequencia lógica do seu número de elétrons, vamos notar
uma periódica repetição das valências em cada nível ou camadas seguintes.
Fig. 05
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COMBINAÇÃO QUÍMICA ENTRE OS ELEMENTOS: A combinação de dois ou mais
elementos químicos e feita através do compartilhamento dos seus elétrons de valência. O lítio (valência
+1) e o Flúor (valência –1) combinam-se porque o elétron de valência do lítio é atraído para a camada
de valência do flúor, formando uma ligação química entre estes elementos. O resultado desta ligação e
o fluoreto de lítio, uma substância que não tem nenhuma semelhança com os elementos entraram na
sua composição. O fluoreto de lítio é
um composto estável, porque o compartilhamento do elétron do lítio completou a camada de valência
do flúor e deixou o lítio com uma camada estável, também de dois elétrons. Com o número de prótons
e elétrons totais dos dois átomos envolvidos nesta combinação química não se alterou, a carga elétrica
do composto é nula.
Este tipo de combinação química que se deu entre o flúor e o lítio é muito comum entre um
grande número de elementos químicos, e pode se dar com transferência ou compartilhamento, de mais
de um elétron. Quanto mais próxima do núcleo do átomo estiver sua camada de valência mais
fortemente serão as ligações entre os átomos; combinação de elétrons em camadas mais distantes do
núcleo, vão formar compostos que resistem muito menos a decomposição dos seus elementos
originadores. (Fig-6).
O carbono é um elemento químico que possui valência igual a mais ou menos 4. Isto quer dizer
que com a mesma facilidade que doa 4 elétrons, pode também receber quatro elétrons para completar
sua camada de valência. Por apresentarem esta característica, dois átomos de carbono pode combinarse entre si, um átomo doa quatro elétrons enquanto o outro recebem 4 elétrons. Ambos ficaram numa
situação de estabilidade. Por esta razão, o carbono pode existir como elemento químico ou como
composto químico, numa combinação com seus próprios átomos.
Fig. 06
O carbono formado da associação de átomos conforme explicado, é um pó fino, macio, escuro.
Não tem forma definida, uma vez que os átomos são arranjados desordena-damente. Conduz a corrente
elétrica porque os elétrons dos seus átomos estão presos ao núcleo apenas pela força iônicas de atração,
e com o potencial elétrico pequeno podem ser colocados em movimento.
Mas sob certas condições, os átomos de carbono sem forma definida, podem se combinar
quimicamente formando uma nova substância, o diamante. Os átomos são os mesmos, mas o diamante
tem caraterísticas completamente diferentes do carbono na sua forma de pó, é extremamente duro, tem
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forma cristalina, não conduz corrente elétrica. Mas porque isso ocorre? É pela maneira como os
elétrons dos átomos se arranjão, formando as ligações químicas.
Para formar um diamante, cada átomo de carbono doa seus quatro elétrons de valência, mas um
para cada átomo diferente, que estão mais próximos de si. Da mesma forma vai também receber quatro
elétrons, mas também apenas um de cada átomo adjacente, de tal modo que em cada dois átomos vai
existir uma ligação envolvendo dois elétrons, um de cada átomo. Este tipo de ligação é chamada de
COVALENTE é uma ligação química muito forte. Doar não é bem o termo, porque na realidade o
elétron “doado” vai atuar
no átomo doador e no átomo recebedor. À estrutura constituída desta maneira se da o nome de
ESTRUTURA CRISTALINA. Todos os átomos do diamante são ligados desta maneira.
Como cada átomo vai ter efetivamente oito elétrons atuando na sua camada de valência, o cristal é
extremamente estável. E como todos os elétrons estão firmemente presos por ligações covalentes, o
cristal é um isolante elétrico.
Na fabricação de semicondutores o que se faz é colocar dentro da estrutura do cristal uma
determinada quantidade de elétrons chamados de portadores livres das ligações estruturais e que podem
ser colocadas em movimento ao ser aplicado um potencial elétrico.
Não são feitos com diamantes, porque seriam muito caros devido a certas dificuldades de ordem
prática. Os elementos utilizados para a confecção dos semicondutores, são o germânio ou o silício, que
também apresentam valência igual a mais ou menos quatro e facilidade para sua fabricação.
Fig. 07 – Estrutura do diamante
O silício tem quatro elétrons na sua terceira camada (sua última camada, a camada de valência) ,
enquanto o germânio tem quatro elétrons na sua Quarta camada. Ambos são normalmente sem forma
fixa, mas que podem ser transformados, mediante processos adequados, numa estrutura cristalina
semelhante a do diamante. Os semicondutores encontrados no comércio são feito com cristais desse
tipo.
Fig. 8
Os cristais puros de silício ou germânio vão apresentar a mesma estrutura do diamante. Como a
disposição dos elétrons dos seus átomos serão ligações covalentes da mesma forma que no diamante, o
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cristal puro de germânio ou silício também é isolante. O cristal puro é chamado de cristal
INTRÍNSECO. Para fazer com que o cristal se transforme em semicondutor adicionamos nele
impurezas, num processo rigorosamente controlado e altamente sofisticado, chamado de DOPAGEM.
Estas impurezas vão suprir o cristal de portadores de corrente, e a quantidade e o tipo de impureza que
será adicionada no cristal vai determinar suas características elétricas.
PROCESSOS DE DOPAGEM
MATERIAL DO TIPO N: Um dos processos de dopagem do material consiste em usar
elementos que contenham cinco elétrons na sua camada de valência. Como antimônio ou o arsênioco.
São colocados na estrutura cristalina do silício ou germânio na proporção de um para cada dez milhões
de átomos.
Usando-se como impureza o antimônio (símbolo químico Sb) durante o processo de fabricação
do semicondutor, o antimônio é forçado a participar das ligações covalentes do silício ou germânio,
doando quatro elétrons para os átomos que estão ao seu lado. Os átomos vizinhos vão ficar completos
com esses 4 átomos de antimônio e estes elétrons estarão firmemente presos. O quinto elétron do
antimônio, não pertencendo a estrutura cristalina, é preso ao núcleo do antimônio apenas pela força
iônica. Mas mesmo a temperatura ambiente normal, a agitação térmica (que é o movimento
desordenado do elétron provocado pelo calor) vai fornecer energia cinética este elétron suficiente para
que se liberte do seu núcleo e fique vagando, completamente sem destino, dentro da estrutura cristalina
do material. Este elétron é chamado de elétron livre. Este cristal é chamado do tipo N, representando a
carga negativa do elétron livre. O antimônio é chamado de elemento DOADOR DE IMPUREZA.
Fig. 09
O átomo de antimônio possuindo mesmo número de prótons e elétrons é neutro eletricamente.
No momento em que o elétron que não está participando das ligações covalentes se liberta, pela
agitação térmica, o antimônio fica com uma carga positiva em excesso. Tendo íons, dizemos que é
ionizado. Então, dentro de um cristal do tipo N, nós vamos Ter íons positivos e elétrons livres.
Quando aplicamos uma tensão num cristal do tipo N, os elétrons livres presentes na estrutura do
cristal vão permitir o fluxo de uma corrente elétrica. Aos elétrons livres chamamos de PORTADORES
MAJORITÁRIOS da corrente elétrica, num cristal do tipo N. Observe que os íons positivos não podem
mover-se porque fazem parte da estrutura cristalina do material. (fig.10)
Durante o fluxo de elétrons dentro do material do tipo N, devido a tensão elétrica aplicada,
pode ocorrer que um dos elétrons venha a voltar para a sua posição original dentro do átomo de
antimônio, anulando o íon positivo representando pelo antimônio desfalcado de um elétron. O efeito é
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Fig. 10
de que os íons parecem estar se deslocando dentro da estrutura cristalina no sentido oposto ao do fluxo
de elétrons. O deslocamento de íons na verdade não existe, porque o cristal apresenta apenas um íon
para cada vinte milhões de átomos de silício ou germânio, é por esta razão que a maioria dos elétrons
Fig. 11
passa pelo cristal sem encontrar e anular os íons positivos. O que você não pode esquecer é que os íons
não se movem. Eles podem parecer se mover devido ao efeito de um elétron anular um íon, e ser criado
outro íon dentro da estrutura do material, parecendo deste modo fluir, em sentido contrário ao dos
elétrons.
MATERIAL DO TIPO P: Se na dopagem do cristal nós, ao invés de utilizarmos um
elemento com 5 elétrons na sua camada de valência, utilizamos um elemento com 3 elétrons na sua
camada de valência, como o índio, boro ou gálio, vamos formar um outro tipo de material
semicondutor.
Utilizando-se o índio como impureza, na mesma proporção que foi usada com o antimônio (um
para dez milhões de átomos de silício ou germânio), o índio vai formar ligações covalentes com os
quatro átomos vizinhos do silício ou do germânio. O átomo de índio vai aceitar os quatro elétrons dos
átomos vizinhos, mas pode doar apenas os três elétrons da sua camada de valência. Desta maneira, três
pares de elétrons são completados, formando ligações covalentes. A quarta ligação vai ficar
incompleta, apenas com um elétron, fornecido pelo silício ou o germânio. A falta deste elétron nesta
ligação é chamada de BURACO ou LACUNA. Atua como uma carga elétrica positiva, atraindo
qualquer elétron que esteja por perto, para completar a sua ligação. Por esta razão, o índio é chamado
de receptor. O cristal é do tipo P, representando a carga elétrica provocada pelo buraco. (fig. 12)
O elétron do silício que não forma ligação covalente com o índio por sua vez, estará preso ao
núcleo do silício apenas pela atração iônica, e pela agitação térmica pode se liberar e sair da sua órbita,
circulando por dentro da estrutura cristalina, e preenchendo um buraco. Sempre que um elétron se
liberta do seu átomo, deixa outro buraco. Sempre que um elétron se liberta do seu átomo, deixa outro
buraco, e o resultado disso será um movimento desordenado de buracos dentro do material. Dizemos,
então, que um material do tipo P tem buracos livres, assim como o material do tipo N tem elétrons
livres. (fig. 13) Sempre que um elétron completa a quarta ligação do átomo de índio, ele se torna um
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Fig. 12 -13
íon negativo. Pela agitação térmica, que ocorre já em temperaturas normais, um cristal do tipo P possui
buracos livres e íons negativos.
Fig. 14
Aplicando-se um potencial elétrico num cristal do tipo P, haverá uma corrente de buracos
dentro da estrutura cristalina do material. Os elétrons de valência também estão se movendo mas
sempre que um elétron abandona a órbita do silício ou germânio, provoca outro buraco, e como existem
mais buracos que elétrons, chamamos aos buracos de portadores majoritários de corrente em um
material do tipo P. Os íons negativos não podem se mover porque pertencem à estrutura cristalina.
Fig. 15
Durante a circulação da corrente, poderá ocorrer, que um buraco venha a neutralizar um íon
negativo, enquanto que mais próximo do terminal positivo, um átomo adquire um elétron, se tornando
um íon negativo. A impressão que se tem é que os íons estão se dirigindo para uma direção oposta ao
fluxo de buracos, mas numa proporção muito menor, porque o número de átomos de silício ou
germânio é muito maior do que os átomos da impureza. Dessa forma, a maioria dos buracos atravessa o
cristal sem anular um íon negativo. Não se esqueça que os íons são imóveis.
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DIFERENÇAS ENTRE SEMICONDUTOR E OS MATERÍAIS COMUNS
Num condutor comum, a corrente elétrica se dá através dos elétrons de valência que se
deslocam de átomo para átomo dentro do material. Cada elétron que abandona o átomo é logo
substituído por outro, e o átomo dessa forma mantém a sua carga neutra. Dentro de um condutor,
portanto, não existem íons nem portadores de corrente como num semicondutor. Num material isolante
comum, os elétrons estão firmemente presos ao núcleo do átomo, necessitando de potenciais muito
elevados para serem arrancados de suas órbitas, e serem colocados em movimento, gerando uma
corrente elétrica. Um cristal puro é isolante comum, os elétrons estão firmemente presos ao núcleo do
átomo, necessitando de potenciais muito elevados para serem arrancados de suas órbitas, e serem
colocados em movimento, gerando uma corrente elétrica. Um cristal puro é isolante. Se aplicarmos
uma tensão muito alta, poderá conduzir a corrente elétrica, mas seria sempre um mau condutor, não um
semicondutor. Um verdadeiro semicondutor é um cristal convenientemente dopado . Sua estrutura será
estável, com um número bem preciso de portadores de corrente no seu interior. Estes portadores de
corrente, os elétrons nos cristais do tipo N e os buracos nos cristais do tipo P, podem ser colocados em
movimento com potenciais muito baixos, resultando uma corrente elétrica.
A corrente elétrica causada pelos portadores majoritários dentro do cristal não se dá de átomo
para átomo, mas num deslocamento aproximadamente direto através do material.
INFLUÊNCIA DA TEMPERATURA NUM SEMICONDUTOR
Um aumento da temperatura provoca um maior número de átomos ionizados na estrutura de um
semicondutor, aumentando a sua condutividade. Nos circuitos usando dispositivos a semicondutor,
sempre se procura evitar esse efeito da temperatura, anulando-o, ou pelo menos limitando o efeito.
Fig. 16
O gráfico acima mostra como o aumento de temperatura provoca um aumento nos portadores
disponíveis.
TIPO DE LIGAÇÕES SEMICONDUTORAS
Materiais semicondutores (p ou n) podem ser ligados entre si, das maneiras dadas a seguir.
POR JUNÇÃO: Corresponde ao contado das superfícies dos dois ou mais semicondutores,
através das quais se dará a circulação das cargas elétricas.
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Exemplo de ligação por junção:
POR PONTAS: Tem-se nesse caso o contato entre as partes de um componente, por meio de
pontas de contato. Comparado com o tipo anterior, este é geralmente encontrado em componentes para
correntes menores, devido à menor seção de contato.
POR DIFUSÃO: Consiste na dopagem de um certo volume de material de base numa
polaridade ou concentração de cargas diferentes do material de suporte.
Exemplo de ligação por difusão:
DIODOS SEMICONDUTORES
Se, dentro da mesma estrutura cristalina, formarmos um material do tipo P e um material do
tipo N, teremos um dispositivo de dois elementos chamado diodo. O material do tipo P terá buracos
livres e íons negativos fixos. O material do tipo N terá elétrons livres e íons positivos fixos. A região de
contato é chamada de junção.
Fig. 17
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Juntando-se os dois materiais, aparecerão forças iônicas, que vão atuar da seguinte maneira: os
íons negativos da região P vão repelir os elétrons livres da região N, da mesma forma que os íons
ositivos da região N vão repelir os buracos livres da região P. Em consequência, teremos uma área
próxima da junção vazia de portadores de corrente. Esta área recebe o nome de região de depleção ou
de carga de espaço.
Fig. 18
Conectando-se ao diodo um potencial elétrico de modo que na região N esteja o terminal
positivo da bateria e na região P o terminal negativo, a região de depleção vai aumentar. Os buracos
livres da região P serão atraídos para o terminal negativo da bateria, da mesma maneira que o terminal
positivo da bateria vai atrair os elétrons livre da região N. Alguns elétrons conseguem chegar até o
terminal positivo da bateria, e são conduzidos até o terminal negativo, penetrando na região P e
anulando alguns buracos. Mas num espaço de tempo pequeno essa circulação de corrente cessa, e o
diodo se comporta como um isolante. A pequena corrente instantânea pode ser comparada à carga de
um capacitor, e deve ser levada em conta sempre que se trabalha com o diodos em frequências
elevadas.
Invertendo-se a polaridade da bateria no diodo, de maneira que na região N se aplique o
terminal negativo, e na região P o terminal positivo, o potencial negativo aplicado na região N vai
repelir os elétrons em direção da região de depleção. Da mesma forma, o potencial positivo aplicado na
região P vai repelir os buracos também na direção da região de depleção. O efeito que vamos obter é de
que os portadores majoritários de corrente vão atravessar a barreira de depleção, permitindo o fluxo de
uma corrente elétrica. Dessa forma o diodo se comporta como um elemento condutor, apresentando
uma resistência elétrica muito pequena ao fluxo da corrente elétrica. Observe na figura 22, que o fluxo
de corrente apresentado refere-se ao sentido eletrônico. É mais conveniente representarmos aqui o
Fig. 19
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deslocamento das cargas elétricas da maneira como efetivamente ocorrem no circuito, mas nos
circuitos em que não nos preocupamos com o funcionamento interno dos dispositivos semicondutores
vamos continuar usando a corrente convencional. É importante que o aluno consiga intender este fato
sem se confundir, portanto vamos repetir, a corrente eletrônica, o que realmente ocorre dentro de um
circuito, é aquela em que os elétrons saem do terminal negativo da bateria, percorrem o circuito e
voltam pelo positivo. A corrente convencional é aquela em que consideramos as cargas elétricas saindo
do terminal positivo da bateria e retornando pelo terminal negativo. Sempre que usarmos o sentido
verdadeiro da corrente para uma explicação, vamos alertar o aluno desse fato. Caso contrario,
subentende-se que o sentido da corrente é o convencional.
Fig. 20
Sempre que falarmos de um diodo está com polarização inversa, estamos nos referindo a
polarização em que o diodo funciona como elemento isolante, em que sua região de depleção esta
grande. A polarização direta refere-se ao potencial que aplicamos ao diodo quando o mesmo permite a
passagem da corrente elétrica. Se aplicarmos num diodo ume tenção alternada, o mesmo somente vai
conduzir quando a tensão nos seus terminais determinar uma polarização direta, portanto só vai
conduzir durante um semi-ciclo da tensão alternada, agindo como um retificador.
Fig. 21
À região do tipo P nós chamamos de ânodo. À região do tipo N é chamada de catodo.
Aplicando-se ao ânodo um potencial positivo com relação ao catodo estamos polarizando o diodo
diretamente, e o mesmo vai se comportar como um elemento condutor.
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O diodo é um componente que serve para transformar correntes alternadas em correntes
continua ou em corrente pulsante de uma única polaridade. Um exemplo dessa ultima possibilidade é a
demodulação, uma função indispensável nos receptores de rádio e televisão.
Abaixo temos o símbolo de um diodo. Os elétrons fluem contra a seta, a qual aponta na direção
do fluxo de buracos.
Fig. 22
Na figura 23 temos alguns modelos de diodos semicondutores com cápsula de plástico. O
catodo é indicado por um anel branco ou por um arredondamento do corpo da cápsula.
Fig. 23
CARACTERÍSTICAS E LIMITES DE UM DIODO
Os limites máximos indicam a carga ao qual o diodo pode ser submetido. São valores máximos
permissíveis de grandezas elétricas que não dever ser excedidos individualmente ou simultaneamente.
Para aplicações em circuitos alimentados por correntes senoidais ou pulsantes, os valores de pico
(tensão inversa e correntes diretas) são funções da frequência e do fator de utilização. No caso dos
retificadores, o valor máximo da corrente retificada depende da tensão inversa.
Os dados acima foram retirados da apostila do curso de Radiotécnico e TV (P & B) e a cores do
Instituto Padre Reus - Semicondutores.