PROPRIEDADES ÓPTICAS NÃO-LINEARES DE TERCEIRA ORDEM DE COMPLEXOS DO TIPO SCHIFF João Tedim1,2, Sónia Patrício1, Rosa Bessada1, Joana Fonseca1, Cristina Freire1, Manuel Marques3, 1 REQUIMTE, Departamento de Química, Faculdade de Ciências, Universidade do Porto, 4169-007 Porto, Portugal 2 Department of Chemistry, University of Leicester, Leicester LE1 7 RH, UK 3 INESC Porto e Departamento de Física, Faculdade de Ciências, Universidade do Porto, 4169-007 Porto, Portugal E-mail de contacto [email protected] ABSTRACT Materiais com propriedades ópticas não-lineares têm recebido muita atenção nas últimas décadas devido à sua aplicação no processamento das comunicações ópticas[1,2]. Neste contexto, os complexos com bases de Schiff apareceram como blocos de base para a preparação de materiais com estas propriedades devido à deslocalização das suas ligações π, que podem ser potenciadas pela introdução de funcionalidades dadoras/receptores de densidade electrónica[3]. Neste trabalho, são caracterizadas as propriedades ópticas de complexos de níquel(II) e Cobre(II) com ligandos do tipo salen em solução pelas técnicas de z-scan e espectroscopia electrónica. Os resultados são analisados de forma a avaliar as relações entre as propriedades ópticas e a estrutura dos complexos. 1. Introdução Neste trabalho foram estudados vários complexos de níquel (II) e cobre (II) com ligandos do tipo salen funcionalizados com grupos dadores/aceitadores de densidade electrónica, com a técnica de z-scan, determinando-se os seus índice de refracção nãolinear e coeficiente de absorção não-linear. 1.1. Técnica de z-scan A técnica de z-scan utilizada para caracterizar as propriedades ópticas não-lineares foi desenvolvida por Sheik-Bahae et als.[4,5] e está baseada na alteração da frente de onda ao atravessar um meio não-linear. Utilizando um feixe laser com um perfil transversal gaussiano e deslocando a amostra na vizinhança da cintura do feixe obtém-se uma variação da transmitância através de uma abertura colocada antes do detector. Dependendo do tipo de não linearidade, e do seu sinal, a transmitância do sistema quando a amostra está junto à cintura do feixe vai apresentar uma curva característica. A amplitude da variação da transmitância normalizada é directamente proporcional ao valor da não linearidade. 2. Resultados Os complexos [M(DA-salen)] apresentam um índice de refracção não-linear (n2I), nãoressonante, no intervalo 8,5 a 27•10-21 m2 W-1 e um coeficiente de absorção não-linear (α2I) no intervalo 1,8 a 26•10-17 m2 W-1, para concentrações de 1 mmol dm-3. A componente imaginária da susceptibilidade de terceira ordem é inferior a 10% do valor para todos os complexos. No grupo de complexos de Ni(II), os valores mais altos de n2I são obtidos pelos complexos com pontes de diimina aromáticas, que dão origem a fortes bandas de transferência electrónica na região λ=275-500 nm. Os complexos que apresentam bandas intensas próximas de λinc/2 = 532 nm apresentam igualmente os valores mais altos de α2I, uma consequência de processos de absorção multi-fotão. Para o grupo de complexos de Cu(II), o valor mais alto de n2I é igualmente observado para o complexo que apresenta a banda mais intensa na região λ =275 - 475 nm. Entre os complexos de Ni(II) e Cu(II) com os mesmos ligandos, os de cobre apresentam sempre um valor de n2I mais elevado, indicando que, apesar da forte influência dos grupos dador-aceitador na não-linearidade, o centro metálico tem igualmente uma contribuição relevante. Referências [1] Handbook of Optics IV, Fiber Optics & Nonlinear Optics, 2nd ed., M. Bass, J. M. Enoch, E. W. V. Stryland, W. L. Wolfe (Eds.), McGraw-Hill, New York (2001) [2] J. G. Breitzer, D. D. Dlott, L. K. Iwaki, S. M. Kirkpatrick, T. B. Rauchfuss, J. Phys. Chem. A, 103, 6930– 6937 (1999) [3] Nonlinear Optics of Organic Molecules and Polymers, H. S. Nalwa, S. Miyata (Eds.), CRC Press, Boca Raton (1997) [4] M. Sheik-Bahae, A. A. Said, E. W. Van Stryland, Optical Letters, 14, 955-957 (1989) [5] M. Sheik-Bahae, A. A. Said, T. Wei. D. A. Hagan, E. W. Van Stryland, Journal of Quantum Electronics, 26, 760-769 (1990)