Universidade Federal do Amazonas
Faculdade de tecnologia
Engenharia de Materiais
Vapor-Liquido-Sólido
(VLS)
Diogo Padilha Oliveira
Manaus
2013
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1. Mecanismo
Figura 1 Crescimento de SiNW por Vapor-Sólido-Líquido (VLS).
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2. Vantagens
 Síntese de grande variedade de NW semicondutores
 Relativo bom controle do diâmetro
Figura 2 Histograma de crescimento de SiNW com deposição de 5, 10, 20 30 nm de ouro.
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3. Desvantagens
 Controle do tamanho da gota
o Síntese de nanopartículas metálicas
o Laser-assisted VLS
 Controle da propriedades ao longo do eixo do NW
o Ultra-alto vácuo
 Utilização de Au
 Baixa produtividade
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4. Artigo
Transition Metal Oxide Core-Shell Nanowires:
Generic Synthesis and Transport Studies
Song Han, Chao Li, Zuqin Liu, Bo Lei, Daihua Zhang, Wu
Jin, Xiaolei Liu, Tao Tang, and Chongwu Zhou*
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4.1 Metodologia
 Forno horizontal
 Pó de Mg3N2
 Adição de monocristais (100) MgO
 Revestimento com filme de Au de 1nm
 900 °C com fluxo de Ar
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4.2 Resultado
 Crescimento de MgO NW na região exagonal
 Au atua como catalizador
Figura 3 Crescimento do NW em substrato de MgO (100).
Figura 4 MgO nanowire.7
5. Referências
 S. Han, C. Li, Z. Liu, B. Lei, D. Zhang, W. Jin, X. Liu, T. Tang, C.
Zhou: Transition metal oxide core-shell nanowires: Generic
synthesis and transport studies, Nano Lett. 4, 1241–1246 (2004)
 Y. Cui, L.J. Lauhon, M.S. Gudiksen, J. Wang, C.M. Lieber:
Diameter-controlled synthesis of single crystal silicon nanowires,
Appl. Phys. Lett. 78, 2214–2216 (2001)
 X. Duan, C.M. Lieber: Laser-assisted catalytic growth of single
crystal GaN nanowires, J. Am. Chem. Soc. 122, 188–189 (2000)
 Springer handbook of nanotechnology. 2010. pg. 119.
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