Universidade Federal do Amazonas-UFAM
Faculdade de Tecnologia–FT
Engenharia de Materiais
NANOWIRES
Aluno: André Andrade Ferreira
Universidade Federal do Amazonas-UFAM
Faculdade de Tecnologia–FT
Engenharia de Materiais
ARTIGO:
Crescimento de nanofios dendríticos
mediados por catalisador auto-montados
NANOFIO dos GRUPOS III-V
Alterna-se componentes dos grupos III-V e
manipula-se a dinâmica de crescimento
do nanofio.
Fases cristalográficas;
 Rota de incorporação;
 Processo de nucleação.

Crescimento Vapor-Líquido-Sólido
(VLS)
Figura 1. Esquema do processo de crescimento Vapor-Líquido-Sólido.
Vantagens
Simples produção;
 Controle de diâmetro do nanofio;
 variedades de nanofios.

Desvantagens
• Controle reduzido da fase líquida;

Baixa produtividade.
Câmara de crescimento epitaxial
por feixe químico (CBE)
Figura 2 – Esquema do sistema CBE instalado no IFGW da Unicamp
.
Introdução de precursor de Mn durante a
síntese de nanofio InAs VLS
1. Dendrítico;
2. Crescimento de ramos epitaxial;
3. ramificado;
1+2+3=novas aplicacões.
Nanofio InAs em GaAs
Figura 3. Visão geral de crescimento VLS de nanofios de InAs orientados por
MOVPE.
Mudança nas condições de
crescimento
Figura 4. Imagem MEV.
Estrutura Cristalina
Figura 5. TEManalysis de nanofios de InAs ramificados.
conclusão
A capacidade de inicioposição começou
crescimento dendrítico utilizando um catalisador
depositado pelo precursor de fase vapor
permitindo a síntese in-situ de multigerações de
heteroestruturas hierárquicas de nanofios.
Átomos de Mn servem como barreira ao
crescimento epitaxial incentivam a nucleação e
crescimento de pontos de InAs sobre as facetas
do nanofio criando novos nanofios nas mesmas
(ramos nascentes).