Universidade Federal do Amazonas
Faculdade de Tecnologia
Bacharelado em Engenharia de Materiais
Controle de crescimento da estrutura dependente da
síntese de nanofios via em película formação de
nanofios (OFF-ON)
Método de OFF-ON (Filme para formação do Nanofio)
Acadêmico: Emerson Gama
Professor: Dr. Lucas Berti
Manaus- Am
Março- 2013
FT - EngMat
Método de OFF-ON
Emerson Gama
Sistema de Pulverização Catódica
(sputtering)
Colocando o filme de Bi sob tensão
de compressão
Recozimento
(260 ~270 °C)
Diferentes Coeficientes
de expansão térmica
Crescimento Espontâneo dos
Nanofios Devido o
Relaxamento da tensões
compressivas
Resfriamento
FT - EngMat
Vantagens
Método de OFF-ON
1. Combinação da deposição de filmes finos e simples com formação nanofios
altamente cristalinos.
2. Não há necessidade de usar catalisadores, evitando assim a contaminação
3. Ferramenta única e altamente desejável para o cultivo de nanofios livre de
defeitos e composta de um material de interesse.
4. Ampliação do método para uma grande variedade de materiais e estruturas
Desvantagem
Para obter bom rendimento do nanofio precisa-se programar e
combinar os parâmetros.
Emerson Gama
Parâmetro e Limitações
FT - EngMat

Taxa de Deposição
2,7 Â / s

32,7 Â / s
Área do Filme e distribuição da tensão no momento Alivio
Áreas dos filmes: (104 µm)2, (103 µm)2, (102 µm)2, e (10 µm)2

Incompatibilidade de expansão térmica
1. Bi (13,4 × 10-6 / ° C)
2. SiO2 (0,5 × 10-6 / ° C)
3. Si (2,4 × 10-6 / ° C)
Emerson Gama
FT - EngMat
Referências Bibliográficas
 Shim W, Ham J, Lee K, Jeung WY, Johnson M, Lee W: On-Film Formation of
Bi Nanowires with Extraordinary Electron Mobility. Nano Lett 2009, 9(1):18.
 Zhang ZB, Gekhtman D, Dresslhaus MS, Ying JY: Processing and
characterization of single-crystalline ultrafine bismuth nanowires. Chem
Mater 1999, 11:1659.
Emerson Gama