Eletrônica Professor João Luiz Cesarino Ferreira 1º Módulo Exercícios – Semicondutores 1) Os átomos de silício combinam-se segundo um padrão ordenadamente chamado de? a) Ligação covalente b) Cristal c) Semicondutor d) Órbita de valência 2) Um semicondutor intrínseco tem algumas lacunas na temperatura ambiente. O que originou essas lacunas? a) A dopagem b) Os elétrons livres c) A energia térmica d) Os elétrons de valência 3) Cada elétron de valência num semicondutor intrínseco estabelece? a) Uma ligação covalente b) Um elétron livre c) Uma lacuna d) Uma recombinação 4) A fusão de um elétron livre com uma lacuna é chamada de? a) Ligação covalente b) Tempo de vida c) Recombinação d) Energia térmica 5) Na temperatura ambiente, um cristal de silício age aproximadamente como? a) Uma bateria b) Um condutor c) Um isolante d) Um pedaço de fio de cobre 6) O elétron de valência de um condutor é chamado também? a) Elétron de ligação b) Elétron livre c) Núcleo d) Próton 7) Quando uma tensão externa é aplicada num semicondutor, as lacunas circulam: a) Afastando do potencial negativo b) Em direção ao terminal positivo c) No circuito externo d) Nenhum desses 8) Num semicondutor intrínseco, o número de elétrons livres é? a) Igual ao número de lacunas b) Maior que o número de lacunas c) Menor que o número de lacunas d) Nenhum desses 9) Qual dos seguintes itens não se relaciona com os outros três? a) Condutor b) Semicondutor c) Quatro elétrons de valência d) Estrutura cristalina 10) Um semicondutor tipo P possui lacunas e? a) Íons positivos b) Íons negativos c) Átomos pentavalentes d) Átomos doadores 11) Quantos elétrons de valência existem nos átomos trivalentes? 1 Eletrônica Professor João Luiz Cesarino Ferreira a)1 b)4 c)3 1º Módulo 2 d)5 12) Quantos elétrons de valência existem num átomo doador? a)1 b)4 c)18 d)5 13) Para produzir um semicondutor tipo P, o que você usaria? a) Átomos receptores b) Átomos doadores c) Impurezas pentavalentes d) Silício 14) Em que tipo de semicondutor as lacunas são portadores minoritários? a) Extrínseco b) Intrínseco c) Tipo n d) Tipo p 15) Quantos elétrons livres existem num semicondutor tipo P? a) Muitos b) Nenhum c) Apenas aqueles produzidos pela energia térmica d) O mesmo número de lacunas 16) Em que tipo de semicondutor os elétrons são portadores minoritários? a) Extrínseco b) Intrínseco c) Tipo n d) Tipo p 17) Na temperatura de zero absoluto um semicondutor intrínseco: a) Tem alguns elétrons livres b) Tem muitas lacunas c) Tem muitos elétrons livres d) Não tem lacunas nem elétrons livres 18) Na temperatura ambiente, um semicondutor intrínseco: a) Tem poucos elétrons e lacunas b) Tem muitas lacunas c) Tem muitos elétrons livres d) Não tem lacunas 19) O número de elétrons livres e de lacunas num semicondutor intrínseco aumenta quando a temperatura? a) Diminui b) Aumenta c) Permanece a mesma d) Nenhum desses 20) O fluxo de elétrons de valência para a esquerda significa que o fluxo de lacunas vai? a) Para a esquerda b) Para a direita c) Nos dois sentidos d) Nenhum desses 21) As lacunas agem como? a) Átomos b) Cristais c) Cargas negativas d) Cargas positivas 22) Qual dos seguintes descreve um semicondutor tipo n? a) Neutro b) Carregado positivamente c) Carregado negativamente d) Possui muitas lacunas 2 Eletrônica Professor João Luiz Cesarino Ferreira 1º Módulo 3 23) Os íons positivos são átomos que? a) Ganharam um próton b) Perderam um próton c) Ganharam um elétron d) Perderam um elétron 24) Qual dos seguintes descreve um semicondutor tipo p? a) Neutro . b) Carregado positivamente c) Carregado negativamente d) Possui muitos elétrons livres 25) Qual dos seguintes itens é causa da camada de depleção? a) Dopagem b) Recombinação c) Barreira de potencial d) Íons 26) Qual é a barreira de potencial de um diodo de silício? a) 0,3 V b) 0,7 V c) 1 V d) 2 m V por grau Celsius 27) Para que a corrente num diodo de silício seja alta, a tensão aplicada deve ser maior que? a) -0,7 V b) 0,3 V c) 0,7 V d) 1 V 28) Num diodo de silício, a corrente reversa é geralmente? a) Muito pequena b) Muito alta c) Zero d) Na região de ruptura 29) A tensão em que se dá a ruptura é chamada de? a) Barreira de potencial b) Camada de depleção c) Tensão de joelho d) Tensão de ruptura 30) Quando a tensão reversa aumenta de 5 para 10 V, a camada de depleção? a) Torna-se menor b) Torna-se maior c) Não é afetada d) Atinge a ruptura 31) Uma tensão reversa de 20V é aplicada num diodo. Qual é a tensão na camada de depleção? a) 0 V b) 0,7 V c) 20 V d) Nenhum desses 32) Qual dos elementos a seguir é um condutor de energia? a) Germânio b) Chumbo c) Silício d) Hidrogênio 33) Um diodo de silício é diretamente polarizado. Se a corrente for de 5 mA e a tensão de entrada for de 24V, qual é o valor do resistor RS? a) 10000Ω b) 4660Ω c) 1000Ω d) 46600Ω 3 Eletrônica Professor João Luiz Cesarino Ferreira 1º Módulo 4 34) Qual afirmativa a seguir é um semicondutor do tipo P? a) Dopado com átomos receptores. b) Cristal com impurezas pentavalentes. c) Os portadores minoritários são as lacunas. d) Átomos doadores foram adicionados ao cristal. e) Os portadores majoritários são os elétrons livres. 35) Quando o gráfico da corrente versus tensão é uma linha reta, o dispositivo é chamado de? a) Ativo b) Linear c) Não linear d) Passivo 36) Que tipo de dispositivo é o resistor? a) Unilateral b) Linear c) Não-linear d) Bipolar 37) Que tipo de dispositivo é o diodo? a) Bilateral b) Linear c) Não-linear d) Unipolar 38) Qual é a polarização de um diodo em corte? a) Direta b) Inversa c) Fraca d) Reversa 39) Quando a corrente num diodo é alta, sua polarização é? a) Direta b) Inversa c) Fraca d) Reversa 40) A tensão de joelho de um diodo é aproximadamente igual à? a) Tensão aplicada. b) Barreira de potencial. c) Tensão de ruptura. d) Tensão direta. 4
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