O O O O Si Si Si Si Si Si Si Si Si Si Si Si NÍVEL DE INTEGRAÇÃO NÍVEL DE INTEGRAÇÃO DISPOSITIVOS/CHIP SSI 2 a 50 MSI 150 a 5.000 LSI 5.000 a 100.000 VLSI 100.000 a 10.000.000 ULSI 10.000.000 a 1.000.000.000 SLSI acima de 1.000.000.000 ALGUNS PROBLEMAS COM CONTAMINAÇÃO DEGRADAÇÃO DO DESEMPENHO - QUALIDADE DO ÓXIDO DE PORTA - TEMPO DE VIDA DOS PORTADORES DE CARGA “METAL” PORTA Contaminantes atuam como armadilhas ou cargas no óxido ÓXIDO DE PORTA FONTE DRENO Contaminantes atuam como armadilhas, degradando tempo de TRANSISTOR MOS vida e mobilidade no canal DEGRADAÇÃO DA CONFIABILIDADE - RUPTURA DO ÓXIDO DE CAMPO - CONTATO RUIM “METAL” PORTA ÓXIDO DE PORTA FONTE DRENO Contaminantes atuam como “pontos fracos”, degradando a rigidez dielétrica do óxido de porta DEGRADAÇÃO DO RENDIMENTO - UM ÚNICO DEFEITO PODE ARRUINAR TODO UM CIRCUITO Defeito fatal no circuito - PARTÍCULAS C) JATO DE NITROGÊNIO MAIS ADEQUADO MAIS DIFÍCIL PODE CONTAMINAR COM METAIS DA PINÇA MELHOR LIMPEZA? DEPENDE DA SUPERFÍCIE DA AMOSTRA Fonte:FiberSystems International Vol.3 N.1 pg.29 February 2002 Base Mundial de Computadores Milhões de Usuários 1500 1400 1300 1200 1100 1000 900 800 700 600 500 400 300 200 100 0 80 81 82 8 bits Uso pessoal APPLE 83 84 85 86 87 88 89 90 8/16 bits 16 bits 16bits PC PC XT PC AT 91 92 32 bits 386 PS 93 94 95 32 bits 486 Power PC 601 96 97 98 99 2000 .....................2005 64 bits 686 MIPS 10000 Alpha Pentium-pro Power PC620 128 bits Micros a serem desenvolvidos ....................2010 Micros multinúcleos de 64 a 256 bits Capacidade de Integração em Microeletrônica e Relógios 1E+13 Número de Componentes 1 Terabit RAM 1E+12 P 500MHz 50M. 16G RAM 1E+11 4G RAM 1E+10 Proc. with 25M comp. 400 MHZ clock 1G RAM 1E+09 2000 MHz clock 64M RAM 1E+08 16M RAM 1E+07 1E+06 50 MHz clock 1M RAM Proc. 32 bits – 10MHz 64K RAM 1E+05 1E+04 1E+03 P 625MHz 100M com 64G RAM Proc. – 1MHz clock 16K RAM 1sr calculator , 1st Proc. 1Kbit MSI – 100K Hz clock 1E+02 1E+01 1E+0 0 1960 1965 1970 1975 1980 1985 1990 1995 2000 2005 2010 2015 2020 Ano Redução de dimensões e tamanhos das pastilhas de silício 0.35m as Dimensões mínimas adotadas na pastilha para os dispositivos eletrônicos 0.035m Figura 3. Projeção a longo prazo da tendência de redução das dimensões dos dispositivos eletrônicos, contidos numa pastilha de silício associada com a tendência de aumento de área física dessas pastilhas para os próximos 70 anos
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