Portas (Içami Tiba)
 Se
você encontrar uma porta à sua frente, você pode
abri-la, ou não. Se você abrir a porta, você pode, ou
não, entrar em uma nova sala. Para entrar, você vai ter
que vencer a dúvida, o titubeio ou o medo. Se você
venceu, você dá um grande passo: nesta sala, vive-se.
Mas, também, tem um preço: são inúmeras outras
portas que você descobre.
 O GRANDE SEGREDO É SABER: QUANDO E
QUAL PORTA QUE DEVE SER ABERTA. A VIDA
NÃO É RIGOROSA: ela propicia erros e acertos. Os
erros podem ser transformados em acertos quando com
eles se aprende.
Portas (Içami Tiba)
 NÃO
EXISTE A SEGURANÇA DO ACERTO
ETERNO. A VIDA É HUMILDADE. Se a vida já
comprovou o que é ruim, para que repeti-lo? A
humildade dá a sabedoria de aprender e crescer também
com os erros alheios.
 A VIDA É GENEROSA: A cada sala em que se vive,
descobrem-se outras tantas portas. A vida enriquece a
quem se arrisca a abrir as novas portas. Ela privilegia
quem descobre seus segredos e generosamente oferece
afortunadas portas. MAS DIFERENTES
PASSAGENS...
Portas (Içami Tiba)
 MÁS A VIDA TAMBÉM
PODE SER DURA E
SEVERA: Se você não ultrapassar a porta, você terá
sempre essa mesma porta pela frente, é a repetição
perante a criação. É a monotonia monocromática
perante o arco-íris. É a estagnação da vida.
 PARA A VIDA, AS PORTAS NÃO SÃO
OBSTÁCULOS,
 MAS DIFERENTES PASSAGENS...
Eletrônica de Potência




Diodos Semicondutores de Potência;
Capítulo 2, páginas 35 à 43;
Aula 6;
Professor: Fernando Soares dos Reis;
Sumário
Capítulo 2
2.6 Diodos Conectados em Série;
 2.7 Diodos Conectados em Paralelo;
 2.8 Modelamento em SPICE de Diodos;
 RESUMO;
 PROBLEMAS;

2.6 Diodos Conectados em Série
 Aumenta
a capacidade de bloqueio. Ex. High Voltage
Direct Current - ITAIPU;
 O problema prático: Os diodos não são idênticos entre
si. Assim, a distribuição de tensão não será a mesma;
2.6 Diodos Conectados em Série
 A solução
para este problema consiste, em forçar
uma divisão de tensão equânime através da
conexão de um resistor em cada diodo;
I s1 
V D1
R1
 IS2 
VD 2
R2
2.6 Diodos Conectados em Série
 Sob
condições transitórias, bloqueio dos diodos, o
equilíbrio entre as tensões é conseguido com a
utilização de capacitores em paralelo com os diodos;
 A resistência RS limita a taxa de crescimento da tensão
de bloqueio;
trr
IF
IRR
ta
tb
2.7 Diodos Conectados em Paralelo
 Em
muitas aplicações de alta potência, os diodos
são conectados em paralelo;
 A divisão de corrente dos diodos estaria de acordo
com suas respectivas quedas de tensões diretas;
 Minimiza-se este problema através da seleção...
 Utilização de resistores em serie...
 Condições dinâmicas pela conexão de indutores
acoplados. Infelizmente geram picos de tensão e
podem ser muito grandes;
2.7 Diodos Conectados em Paralelo
2.8 Modelamento em SPICE de Diodos
Trata-se de um programa que permite a
simulação de circuitos eletro-eletrônicos;
 Cada componente pode ser representado por
um modelo matemático, que pode ser + ou complexo;
 A sintaxe do modelamento SPICE de um diodo
apresenta a seguinte forma geral;

 .MODEL DNAME D (P1=V1 P2=V2 P3=V3...PN=VN)
2.8 Modelamento em SPICE de Diodos
Modelo
Spice
Cd 
dq d
Estático
dv D
Pequeno
Sinais
qd é a carga da camada de depleção
Estudo Dirigido
Em
grupos vamos agora responder as
questões de revisão propostas;
Boa Sorte!
Exemplo 2.3
 Dois
diodos são conectados em série, para dividir uma
tensão total de 5kV. As correntes de fuga reversas dos
dois diodos são IS1=30mA e IS2=35mA . (a) Encontrar as
tensões dos diodos se as resistências de divisão de tensão
forem iguais R1= R2= R=100 k. (b) Encontrar as
resistências de divisão de tensão R1 (100 k) e R2 se as
tensões nos diodos forem iguais a VD1= VD2= VD/2.(c)
Usar o Pspice para conferir seus resultados da letra (a).
Os parâmetros o modelamento Pspice dos diodos são:
BV=3 kV e IS=30 mA para o diodo D1 e IS=35 mA para
o diodo D2;
Exemplo 2.3

Dois diodos são conectados em série, para dividir uma tensão total de 5kV. As
correntes de fuga reversas dos dois diodos são IS1=30mA e IS2=35mA . (a)
Encontrar as tensões dos diodos se as resistências de divisão de tensão forem
iguais R1= R2= R=100 k. (b) Encontrar as resistências de divisão de tensão
R1 e R2 se as tensões nos diodos forem iguais a VD1= VD2= VD/2.(c) Usar o
Pspice para conferir seus resultados da letra (a). Os parâmetros o
modelamento Pspice dos diodos são: BV=3 kV e IS=30 mA para o diodo D1 e
IS=35 mA para o diodo D2.
I s1 
V D1
R1
 IS2 
VD 2
R2
V D 1  2750 V
R1  100 k 
V D 2  2250 V
R 2  125 k 
V  V D1  V D 2
Problema 2.4
 Dois
página 43
diodos são conectados em paralelo e a queda de
tensão direta sobre cada diodo é de 1,5 V. Utilize a
curva característica V-I e determine as correntes diretas
através de cada diodo.
Problema 2.5
 Dois
página 43
diodos são conectados em paralelo, com
resistências de divisão de corrente. A corrente total é IT
= 200 A, tensão sobre um diodo e sua resistência é vd =
2,5 V. Determine os valores das resistências R1 e R2 se
a corrente for dividida igualmente pelos diodos.
RESUMO
 As
curvas dos diodos práticos diferem dos diodos
ideais;
 O trr tem um papel significativo, especialmente em
aplicações de alta velocidade de chaveamento;
 Diodos genéricos;
 Diodos de recuperação rápida rápida;
 Diodos Schottky;
RESUMO
 Diodos
Schottky; Apesar de um diodo Schottky
comportar-se como um diodo de junção pn, não há
junção física; e como resultado o diodo Schottky é
um dispositivo de portadores majoritários. Por outro
lado, um diodo de junção pn é um dispositivo de
portadores tanto majoritários quanto minoritários;
RESUMO
 Se
os diodos forem conectados em série para
aumentar a capacidade de bloqueio, são necessárias
redes de divisão de tensão sob condições de regime
permanente e transitório;
 Quando os diodos são conectados em paralelo para
aumentar a capacidade de condução de corrente,
também são necessários elementos de divisão de
corrente;