Fundamentos de Electrónica
Transístores de Efeito de Campo
Metal Oxide Semiconductor Field Effect
Transistor – MOSFET
Roteiro





Equações aos terminais
Modelo de pequenos sinais
Montagens amplificadores de um único canal
Princípios Físicos
Modelo de alta-frequência
Transístor de Efeito de Campo, Paulo Lopes, ISCTE 2003
2
Transístor de efeito de campo de reforço
Gate
SourceS
G
Oxide Layers
D
Drain
W
N
L
Drain – Dreno
Source – Fonte
Gate - Gate
N
Channel
P
Body (substrate)
B
Transistor
NMOS de enriquecimento
Valores típicos:
L=1 to 10 m
W=2 to 500 m
Oxid layer = 0.02 to 0.1 m
Transístor de Efeito de Campo, Paulo Lopes, ISCTE 2003
3
Funcionamento
Vds
Vgs
S
D
G
N
P
Região
de depleção
N
Em funcionamento
normal as junções (S e D)
estão ao corte
Channel
B
Transístor de Efeito de Campo, Paulo Lopes, ISCTE 2003
Notar que o dispositivo é
simétrico se não
contarmos com a ligação
S-B
4
Criação do canal
Canal
S
D
G
N
P
N
NMOS
B
Vgs > Vt
Diz que se forma o
Canal
A gate e o canal
formão as placas
de um condensador
Channel
Canal tipo N
A aplicação de
uma tensão
positiva na gate
atrai electrões de
forma a se formar
uma região tipo N
(inversão de
população)
Vt -> Tensão
Formação de canal de Limiar
Transístor de Efeito de Campo, Paulo Lopes, ISCTE 2003
5
FET




NMOS FET – Canal N
PMOS FET – Canal P
FET Enriquecimento – O canal não existe e
tem de ser criado -> Vt > 0
FET Depleção – O canal é pré
implementado. Este é removido aplicando
uma tensão negativa na gate. Vt < 0
Transístor de Efeito de Campo, Paulo Lopes, ISCTE 2003
6
Funcionamento na zona de tríodo
iD
Vds
Vgs
Vgs=Vt+3V
Canal
S
D
G
N
Vgs=Vt+2V
Vgs=Vt+1V
N
ID
P
Vgs<Vt
Channel
B
vds
Para Vds pequeno o
canal comporta-se como
uma resistência variável
Transístor de Efeito de Campo, Paulo Lopes, ISCTE 2003
7
Saturação
Vgs
Vds
Canal
S
G
N
Canal
D
N
Saturado
P
tríodo
B
Quando Vds aumenta a tensão Vgd diminui até se tornar inferior a Vt. O
canal fecha-se do lado do dreno (pinch-off), e o valor da corrente deixa
de aumentar, assumindo um valor constante – Zona de Saturação.
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8
Curvas características
Zona de
tríodo
Vgs<2V
Vgs<1.8V
Zona de
saturação
Vt=1V
Vgs<1.6V
Vgs=1.4V
Vgs<Vt
M1
Vds
Vgs
Transístor de Efeito de Campo, Paulo Lopes, ISCTE 2003
9
Equações
Região de tríodo
W
1 2
iD  kn vGS  VT vDS  vDS 
L
2

Valores típicos
 n  580cm2 / Vs
tox  0.02 to 0.1m
Constante dieléctrica
kn  nCox
Região de saturação
 ox  3.5 1013 F / cm
Cox  0.35 fF / m 2 para tox  0.1m
Cox  1.75 fF / m 2 para tox  0.02m
W
2


iD  k n
vGS  VT
L
kn  100A / V 2 para tox  0.03m
kn  20A / V 2 para tox  0.1m
Transístor de Efeito de Campo, Paulo Lopes, ISCTE 2003
10
PMOS
Canal
S
D
G
Vt -> Tensão
de Limiar
Vt < 0
P
P
Vgs < Vt
N
Channel
Formação de canal
B
Canal tipo P
Transístor de Efeito de Campo, Paulo Lopes, ISCTE 2003
11
CMOS
Oxido
isolante
S
N
G
D
S
P
N
P
G
D
P
N
Poço N
(N Well)
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12
Símbolos
PMOS
NMOS
D
S
ID
G
G
ID
D
S
S
D
G
G
ID
ID
S
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D
13
Equações PMOS
Região de tríodo
W
1 2
iD  kn vSG  VT vSD  vSD 
L
2

kn  nCox
Região de saturação
Vgs
W
2


iD  k n
vSD  VT
L
Vds
S
G
D
Transístor de Efeito de Campo, Paulo Lopes, ISCTE 2003
14
Modelação de canal
1 W
2
k vGS  VT  1  vDS 
2 L
VA  1 / 
VA  200a 300V
1
rO 
I D
VA
Transístor de Efeito de Campo, Paulo Lopes, ISCTE 2003
15
Modelação de canal
N
N
L
P
O aumento de VDS faz diminuir a largura efectiva do canal
(L), resultando num aumento da corrente no dreno.
Transístor de Efeito de Campo, Paulo Lopes, ISCTE 2003
16
NMOS de depleção

Canal já está implantado.

Conduz com VGS=0
VT  0
6,0E-05
Id (A)
4,0E-05
reforço
2,0E-05
depleção
0,0E+00
-2,0E-05
-2,0
-1,0
0,0
1,0
2,0
3,0
4,0
Vgs (V)
Transístor de Efeito de Campo, Paulo Lopes, ISCTE 2003
17
PMOS de depleção

Canal já está implantado.

Conduz com VGS=0
VT  0
6,0E-05
Id (A)
4,0E-05
reforço
2,0E-05
depleção
0,0E+00
-2,0E-05
-2,0
-1,0
0,0
1,0
2,0
3,0
4,0
Vgs (V)
Transístor de Efeito de Campo, Paulo Lopes, ISCTE 2003
18
Exercícios

Pagina 12
Transístor de Efeito de Campo, Paulo Lopes, ISCTE 2003
19
Efeito da temperatura

Vt diminui cerca de 2mV por ºC

K diminui com a temperatura (efeito
dominante)
k  C
n

n
ox
Corrente diminui com a temperatura
Transístor de Efeito de Campo, Paulo Lopes, ISCTE 2003
20
Efeito de corpo
Nivel de fermi
(parametro físico)
VT depende de VSB
VT  VT 0  


2q NA S
Cox
VT  VT 0 

2 2 f
2 f  0.6V
2 f  VSB  2 f

 tipico  0.5V 1/ 2
VSB  VT 0  0.32VSB
Transístor de Efeito de Campo, Paulo Lopes, ISCTE 2003
21
Disrupção

Disrupção


Punch Through


Pode dar-se a disrupção da junção Drain-Boby
para valores de Vds elevados. (50 a 100V)
Quando a tensão Vds atinge valores (20V) tais
que a região de depleção da junção Drain-body
se estende través do canal até à source.
Disrupção do Oxido

Vgs atinge valores de cerca de 50V. Destrutiva.
Diodos limitadores.
Transístor de Efeito de Campo, Paulo Lopes, ISCTE 2003
22
MOSFET como amplificador
Montagem para
analise
do MOSFET
como um
amplificador
A variação do pequeno sinal vgs vai
provocar a variação da corrente id que
por sua vez irá provocar a variação de vo.
VDD
Analise para pequenos sinas:
Temos, vGS=VGS+vgs
R1
1kohm
Vo
M1
vgs
Vgs
vGS
vGS  VGS  vgs
Sinal
total
(mM)
Grande sinal
ou
componente
DC (MM)
Transístor de Efeito de Campo, Paulo Lopes, ISCTE 2003
pequeno
sinal ou
componen
te AC
(mm)
23
Analise de pequenos sinais
VDD
R1
1kohm
Vo
vgs
M1
Vgs
Pequenas variações em
Vgs produzem variações
em Vo. Desde que estas
variações sejam pequenas
a relação é linear. Temos:
vo  AV vgs
vGS  VGS  vgs
vO  VO  vo
AV
Transístor de Efeito de Campo, Paulo Lopes, ISCTE 2003
- Ganho de tensão
24
Analise de pequenos sinais
iD 
1 W
1 W
2
2
k n vGS  Vt   k n VGS  vgs  Vt 
2 L
2 L
1 W
W
1 W 2
2
 k n VGS  Vt   k n VGS  Vt vgs  k n vgs
2 L
L
2 L
Para
vgs  2VGS  Vt 
iD  I D  id
id  k n
Podemos desprezar o ultimo
termo e fica:
com
W
gm  k n VGS  VT 
L
W
VGS  VT vgs  gm.vgs
L
O ganho de tensão será:
Av 
vo
  gm RD
vgs
Transístor de Efeito de Campo, Paulo Lopes, ISCTE 2003
25
Modelo de pequenos sinais
Modelo 
Modelo T
D
G
vgs
r
D
iC  gm. vgs
iC  gm. vgs
G
1 / gm
S
gm  k n
W
VGS  VT 
L
ou
W
gm  2kn I D
L
2I D
gm 
VGS  VT
S
Por separação da fonte
de corrente em duas fontes
ou
gm menor do que dos BJT
Transístor de Efeito de Campo, Paulo Lopes, ISCTE 2003
26
Incorporando o efeito de Early
Modelo  aumentado
D
G
vgs
rO
ro modela o efeito de
modelação de canal. Pode
ser considerado como a
resistência de saída da
fonte de corrente.
S
VA
rO 
ID
Transístor de Efeito de Campo, Paulo Lopes, ISCTE 2003
27
Transcondutância de corpo
D
G
+
vGS
S
gm.vGS
B
ro
gmB.vBS
-
+
vBS
-
iD
gmB 
  gm
vBS


2 2 f  VSB
Para
Vsb=0
0.5

 0.322
2 0.6
Transístor de Efeito de Campo, Paulo Lopes, ISCTE 2003
28
Técnicas de polarização
Circuitos discretos:
VDD
VDD
VDD
VDD
VDD
Rd
Rg1
Rd
Rd
Rd
Rg
Rg
Rs
Rg
Rg2
Rs
VSS
Transístor de Efeito de Campo, Paulo Lopes, ISCTE 2003
29
Técnicas de polarização
Circuitos integrados:
VDD
VDD
Espelho de
corrente
Rd
Andar de
amplificação
Rp
Transístor de Efeito de Campo, Paulo Lopes, ISCTE 2003
30
Circuitos de viragem de corrente

Com uma sucessão de espelhos de corrente
pode alterar o sentido da corrente
Transístor de Efeito de Campo, Paulo Lopes, ISCTE 2003
31
Configurações básicas amplificadoras de
um único andar

Implementação em circuito integrado, com cargas activas (transístores)
em vez de resistências.
VDD
VDD
VDD
Vo
Vo
Vi
Vo
Vi
Vi
Fonte comum:
Ganho de tensão
elevado
Gate comum:
Boa resposta em
frequência
Transístor de Efeito de Campo, Paulo Lopes, ISCTE 2003
Dreno comum:
Ganho de corrente
elevado
32
Fonte comum (source)
VDD
VDD
Ganho de tensão:
Q2
AV   gm(ro1 // ro2 )
vo
I1
+
vi
-
Q1
RI  
RO  ro1 // ro2
Modelo de pequenos sinais:
+
vGS
gm.vGS
ro1
ro2
-
Transístor de Efeito de Campo, Paulo Lopes, ISCTE 2003
33
Fonte comum
Curva de transferência
Região de funcionamento
Q1
I
II
III
Q2
I
off
II
Sat
Triu
III
Sat
Sat
IV
Triu
Sat
IV
É utilizada realimentação para
garantir o funcionamento na zona III.
Não é influenciada pelo efeito de corpo
Transístor de Efeito de Campo, Paulo Lopes, ISCTE 2003
34
Gate comum
VDD
VDD
Q3
AV  ( gm1  gmB1  1/ ro1 )(ro1 // ro2 )
Q2
vi  vo
v
 ( gm1  gmb1 )vi  O 
ro1
rO 2

vo
1 
vi 
  gm1  gmb1 
(ro1 // ro2 ) 
ro1 
Vbias
Q1
+
vi
-
 ro1 
1
1 

Ri 
gm1  gmB1  ro2 
Transístor de Efeito de Campo, Paulo Lopes, ISCTE 2003
ro1
( gm1  gmB1 )vi
ro2
35
Andar Dreno Comum (Source Follower)
Vdd
G
I1
vi
Q1
v gs1
gm.vgs1
-
Vo
S
Q3
+
Vo
ro1
ro2
Q2
G
+
vGS 1
S
Vss
gm RS
gm
vI 
vI
1  gm RS
1 ro1  1 ro2  gm  gmB
vO
1
AV 

vI 1  
-
gmvGS 1
Vo
ro2 // ro1 //
vO  (vI  vO ) gm RS 
vO 
gmB .vO
1
gmB
RO  ro1 // ro2 // 1 gm // 1 gmB
1
RO 
gm(1   )
Transístor de Efeito de Campo, Paulo Lopes, ISCTE 2003
36
Tecnologia NMOS
VDD
VDD
5V
AV 
5V
(W / L)1 1
(W / L) 2 1   2
AV 
Q2
OUT
IN
(W / L)1 1
(W / L) 2 
OUT
IN
Q1
Q1 OFF
Vdd-Vt2
A
Com transístor de depleção
Q1 Saturação
B
Q1 Tríodo
Transístor de Efeito de Campo, Paulo Lopes, ISCTE 2003
37
Inversor CMOS
VDD
iD
QP
vGSN  VON  VDD
vI  VDD
vSGP  0
Vo
Vi
P – Zona
Saturação
N – Zona
Tríodo
Operação
vOL  0
QN
vO
vGSP  VON  VDD
vI  0
N – Zona
Saturação
P – Zona
Tríodo
vSGN  0
vOH  VDD
Transístor de Efeito de Campo, Paulo Lopes, ISCTE 2003
38
Característica de transferência
Qn OFF
Qn Saturação
Qp tríodo
Declive -1
Vdd/2 +Vt
Qp e Qn na Saturação
Vdd/2 -Vt
Qp Saturação
Qn tríodo
Declive -1
VOL
OL
Qp OFF
VIL
VIH
Transístor de Efeito de Campo, Paulo Lopes, ISCTE 2003
39
Margens de Ruído - Cálculo de VIL
Zona triúdo
Zona saturação
vI  VT vO  1 vO 2  1 VDD  vI  VT 2
2
2
vO
 1
vI
 vI  VT  
Derivando
v
v
vO  (vI  VT ) O  vO O  VDD
vI
vI
vO  vI  VT  vO  VDD  vI  VT 
vO 
Assume-se que
o dispositivo é
simétrico:
WP  N

WN  P
k N   N COX
 VDD
V
 vI  VOL  VIH  DD
2
2
k P  P COX
Substituindo em cima resulta
1
5VDD  2VT 
8
1
VIL  3VDD  2VT 
8
VIH 
E
1
NM H  VOH  VIH  (3VDD  2VT )
8
1
NM L  VIL  VOL  (3VDD  2VT )
8
Transístor de Efeito de Campo, Paulo Lopes, ISCTE 2003
40
Operação dinâmica
Vo
Vi
Vdd
Região
tríodo
Região
saturação
t
Vdd
Vdd/2
t PHL
Resulta para o tempo de propagação:
t PHL 
2C
W 
kn   VDD
 L n
 Vt
1  3V  4Vt
 ln DD

V  Vt 2  VDD
 Vt   DD



t PLH
t PHL
Vt  0.2VDD
Transístor de Efeito de Campo, Paulo Lopes, ISCTE 2003
t
1.6 C

W 
k n   VDD
 L n
41
Fluxo de corrente e dissipação de potência
I
VtN
VDD/2
VDD  VtN
A carga fornecida será
Q  C VDD
VDD
VI
E a energia
E  QVDD  C VDD
2
A potencia será
P  f C VDD
2
Para uma dada
tecnologia é conhecido
o produto atraso potência:
DP  PDtP  PD / f  CVDD
Transístor de Efeito de Campo, Paulo Lopes, ISCTE 2003
2
42
Modelo de alta frequência

Capacidade da gate
Tríodo
C gs  C gd
Saturação
1
 W L COX
2
2
C gs  W L COX
3
C gd  0
Cgs  Cgs  W LOV COX

Corte
C gs  C gd  0
C gb  W L COX
Cgd  Cgd  W LOV COX
Capacidade das junções
Csb 0
Csb 
V
1  SB
VO
Cdb 0
Cdb 
VDB
1
VO
Transístor de Efeito de Campo, Paulo Lopes, ISCTE 2003
43
Modelo de alta frequência
Cgd
G
D
gm.vgs
gm.vbs
ro
Cgs
Cdb
S
Csb
B
Modelo simplificado
Cgd
G
D
gm.vgs
Produto ganho largura de banda:
ro
Cgs
S
Transístor de Efeito de Campo, Paulo Lopes, ISCTE 2003
fT 
gm
2 (C gs  C gd )
44
O MOSFET com um interruptor
Para tensões vds pequenas o MOS comporta-se como uma resistência da valor:
rD 
id
vds

kn
W
L
vds 0
1 2

(
v

V
)
v

 gs T ds 2 vds 
W
 kn vgs  VT 
vds
L
VDD
5V
5V
7V
-5V
-3V
1
2
|Vt|=2V
Vt=2V
vo
5V 1000Hz 0Deg
Rl
Cl
vo
Rl
Cl
5V 1000Hz 0Deg
VDD
-5V
VDD
5V
Entre -3V e 3V ambos conduzem
>3V Qp conduz, <3V Qn conduz
Transístor de Efeito de Campo, Paulo Lopes, ISCTE 2003
45
Porta de Transmissão
Vdd
-5V
C
C
IN
OUT
C
OUT
-5V
Transístor de Efeito de Campo, Paulo Lopes, ISCTE 2003
C
46
Parâmetros
Tensão de limiar
Transcondutância do
processo
Efeito de corpo
Modelação de canal
Espessura do oxido
Difusão lateral
Dopagem
Mobilidade
Resistência da fonte
Vt 0
VT0
V
0
kn k p


tox
Lov
2 f
KP
A/V^2
2E-5
GAMMA
V^(1/2)
0
LAMBDA
V^-1
0
TOX
m
0
LD
m
0
PHI
V
0.6
NSUB
cm^-3
U0
cm^2/Vs
600
RS

0
NA ND

RS
Transístor de Efeito de Campo, Paulo Lopes, ISCTE 2003
47
Parâmetros
Resistência do dreno
RD
Capacidade da
junção de corpo com
polarização nula
C j0
Coeficiente de
gradação
m
Capacidade de
sobreposição gate
fonte
Cov
“ ” gate fonte
Tensão interna da
junção
RD

0
CJ
F/m^2
0
MJ
0.5
CGSO
F/m
0
Cov
CGDO
F/m
0
Vo
PB
V
Transístor de Efeito de Campo, Paulo Lopes, ISCTE 2003
48
Dedução das equações
v(x) é o potêncialno canal
vgx  vgs  v(x)
Cox 

 ox
tox
dq(x) é a carga por unidade de comprimento
dq( x)  CoxW dx vgs  v( x) VT

E ( x)  
dv ( x)
dx
dv x
i    n dq ( x) E    n CoxW (vgs  vx  VT )
dx
Integrando de 0 a L ou o que é equivalente de 0 a Vds
v DS
L
 i dx   
d
0
0
n
CoxW (vgs  vx  VT )dvx


id  n CoxW / L (vgs VT )vds  v2d s / 2
Na zona de saturação podemos fazer
iD 
vDS  vG  VT
donde resulta
1
W
 nCox vgs  VT 2
2
L
Transístor de Efeito de Campo, Paulo Lopes, ISCTE 2003
49