Bismuth quantum-wire arrays
fabricated by a vacuum melting
and pressure injection process
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NOME:
FA B R I C I O G U I VA R E S S A G G I O R O
PROFESSOR:
LUCAS
AUTORES DA PUBICAÇÃO ORIGINAL:
ZHIBO
ZHANG;
DRESSELHAUS .
JACKIE
Y.
YING;
MILDRED
S.
Formação de Nanofio de Bi.
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FIG. 1. Diagrama esquemático do processo de fabricação do nanofio
matriz composta: (a) um modelo tão preparado da parte anódica porosa de
alumina,
(b) a injecção de pressão de metal fundido nos canais de vácuo do
molde poroso, e (c) o metal cheia de película compósita, que pode ser
usado em aplicações práticas.
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FIG. 2. Imagem TEM da secção transversal da alumina anódica
molde com um diâmetro de canal médio de 56 nm após a moagem ion
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FIG. 3. (a) micrografia
em SEM dos nanofios de
Bi expostas após a matriz
de alumina ter sido
parcialmente dissolvida
a partir do lado inferior
da película. (b, c)
imagens de TEM dos
nanofios independentes
de BI. São mostrados
Nanofios Bi preparados a
partir de modelos com
diâmetros médios de
canal De (a, b) 23 nm e
(c) 56 nm.
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FIG. 5. A temperatura ambiente espectros de absorção óptica do Bi
nanowire / alumina anódica películas compósitas, com diâmetros médios
de fio de (a) 56 nm, (b) 23 nm, e (c) 13 nm, e o correspondente ao
modelos de alumina não preenchidas
anódicas (d), (e) e (f).
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Obrigado