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10 . Semestre
VLSI p/ Telecomunicações - TEL-646 - Professor Carlos E. VIANA
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1A. LISTA DE EXERCÍCIOS OPTATIVA
Exercício I
Quais os tipos de lâminas de silício mais comuns? Discuta.
Exercício II
Quais os tipos de orientações das lâminas de silício mais comuns? Discuta.
Exercício III
Qual a influência da orientação cristalográfica no processo de oxidação
térmica do silício?
Exercício IV
Qual a finalidade da limpeza química do substrato de silício?
Exercício V
Descreva o processo fotolitográfico, salientando tanto a sua finalidade,
quanto às de cada uma das suas etapas.
Exercício VI
Quais as possíveis aplicações para a camada de oxido de silício?
Exercício VII
Explique a diferença entre os dois métodos de obtenção de óxido de
silício.
Exercício VIII
Qual a relação entre o tempo e a temperatura para a etapa de difusão de
dopantes?
Exercício IX
Desenhe as etapas de fabricação para uma malha RLC em série.
Exercício X
Quais as técnicas de caracterização (1-TRXFA, 2-4-pontas, 3Elipsometria, 4-SRP, 5-Perfilometria) que podem ser utilizadas para cada uma das seguintes
situações:
a) Medida de espessura do SiO2;
p/Si?
b) Determinação do tipo (P ou N) de
lâmina de Si;
g) Determinação de contaminação sobre
metal;
c) Determinação da resistividade do Si;
h) Determinação de contaminação sobre
SiO2;
d) Determinação do perfil de resistência
em profundidade, no Si;
e) Determinação da espessura de metal;
i) Determinação de contaminação sobre
Si.
f) Determinação do perfil de resistência
para uma estrutura do tipo: Al/SiO2/SiExercício XI
Qual a diferença entre fotoresiste positivo e fotoresiste negativo?
Desenhe as duas possibilidades para um mesmo exemplo, explique cada uma delas.
Exercício XII
Fazer uma lista com todas as etapas de microfabricação abordadas em
aula.
CUFSA – FAENG – ENGENHARIA ELÉTRICA – TELECOMUNICAÇÕES