60050-521 CEI:2002 – 189 – ÍNDICE A aceitador................................................. acumulação de portadores de carga (num semicondutor)............................. ângulo de Hall ........................................ armadilha................................................ ASIC (abreviatura).................................. átomo de Bohr ........................................ B banda cheia............................................ banda de Bloch....................................... banda de condução ................................ banda de energia.................................... banda de energia (num semicondutor)... banda de excitação ................................ banda de impureza................................. banda de superfície ................................ banda de valência .................................. banda parcialmente ocupada ................. banda permitida...................................... banda proibida........................................ banda vazia ............................................ barreira de potencial............................... barreira de potencial (de uma junção PN)............................. barreira de Schottky ............................... base........................................................ (montagem de) base comum.................. (montagem de) base comum inversa ..... bloco rectificador semicondutor .............. bolacha................................................... buraco .................................................... C camada de depleção (de um semicondutor).......................... campo eléctrico interno .......................... campo induzido (de um gerador de Hall)....................... canal (de um transistor de efeito de campo)............................................ capacidade térmica ................................ característica (corrente-tensão) de ânodo-cátodo ..... característica (corrente-tensão) principal................... carga recuperada (de um díodo ou de um tiristor)............ CCD (abreviatura) .................................. célula ...................................................... célula de memória .................................. célula fotocondutiva................................ célula fotovoltaica ................................... centro de recombinação ......................... chipe....................................................... 521-02-39 521-02-62 521-09-03 521-02-63 521-11-18 521-01-06 521-02-32 521-02-25 521-02-22 521-02-25 521-02-26 521-02-28 521-02-37 521-02-34 521-02-23 521-02-27 521-02-29 521-02-30 521-02-33 521-02-69 521-02-70 521-02-71 521-07-03 521-07-13 521-07-16 521-04-21 521-05-29 521-02-17 521-02-82 521-02-81 521-09-10 521-07-06 521-05-16 521-08-06 521-08-05 521-05-18 521-11-16 521-11-21 521-11-04 521-04-33 521-04-34 521-02-64 521-05-30 circuito equivalente................................. circuito integrado .................................... circuito integrado de aplicação específica ............................................ circuito integrado em películas ............... circuito integrado multichipe ................... circuito integrado pré-difundido .............. circuito integrado semicondutor.............. circuito integrado semipersonalizado ..... coeficiente de Hall .................................. coeficiente de magneto-resistência ........ colector................................................... (montagem de) colector comum............. (montagem de) colector comum inverso....................... compensação por impurezas ................. composição estequiométrica .................. comprimento de difusão (dos portadores minoritários)............... condução intrínseca ............................... condução iónica ..................................... condução por buracos ............................ condução por electrões .......................... condutividade de tipo N .......................... condutividade de tipo P .......................... condutividade intrínseca......................... condutor ................................................. constante de difusão (dos portadores de carga) ................... corrente de comando (de um gerador de Hall)....................... corrente de condução............................. corrente de disparo de porta .................. corrente de manutenção......................... corrente de não-disparo de porta ........... corrente de retenção .............................. corrente principal.................................... crescimento de um monocristal por fusão de zona................................ crescimento pelo método de Czochralski ..................................... crescimento por extracção (de um monocristal)............................. cristal ideal ............................................. curva característica magneto-resistiva ... D dador ...................................................... depósito em fase vapor .......................... diac (abreviatura) ................................... diagrama de níveis de energia ............... diagrama energético............................... difusão (num semicondutor) ................... díodo ...................................................... díodo de capacidade variável................. díodo de comutação............................... 521-05-35 521-10-03 521-11-18 521-10-06 521-10-10 521-11-20 521-10-05 521-11-19 521-09-02 521-09-18 521-07-05 521-07-14 521-07-17 521-03-06 521-02-46 521-02-60 521-02-20 521-02-21 521-02-18 521-02-19 521-02-49 521-02-50 521-02-48 521-02-16 521-02-61 521-09-11 521-02-15 521-08-14 521-08-10 521-08-17 521-08-11 521-08-02 521-03-02 521-03-01 521-03-01 521-02-45 521-09-17 521-02-38 521-03-15 521-04-66 521-01-13 521-01-13 521-02-59 521-04-03 521-04-07 521-04-13 60050-521 IEC:2002 díodo de comutação hiperfrequência ..... díodo de limitação hiperfrequência......... díodo de retorno rápido .......................... díodo de sinal ......................................... díodo de tensão de referência................ díodo detector ........................................ díodo emissor de infravermelho ............. díodo emissor de luz .............................. díodo laser.............................................. díodo misturador..................................... díodo modulador..................................... díodo para multiplicação de frequência .. díodo rectificador (semicondutor) ........... díodo rectificador de avalanche.............. díodo regulador de corrente ................... díodo regulador de tensão...................... díodo semicondutor ................................ díodo túnel.............................................. díodo unitúnel ......................................... disco de Corbino..................................... dispositivo de acoplamento de carga ..... dispositivo de efeito Hall......................... dispositivo de transferência de carga ..... dispositivo discreto ................................. dispositivo em colar ................................ dispositivo lógico programável ............... dispositivo optoelectrónico ..................... dispositivo semicondutor ........................ dispositivo semicondutor discreto........... dispositivo semicondutor foto-sensível ... dispositivo sensível às descargas electrostáticas...................................... dissipador (de calor) ............................... dopagem (de um semicondutor)............. dreno (de um transistor de efeito de campo)............................................ duração de vida no material (de portadores minoritários)................. E efeito fotocondutivo ................................ efeito fotoeléctrico .................................. efeito fotoelectromagnético .................... efeito fotovoltaico.................................... efeito Hall ............................................... efeito magneto-resistivo ......................... efeito piezo-resistivo............................... efeito tenso-resistivo............................... efeito túnel (numa junção PN) ................ electrão solitário ..................................... eléctrodo (de um dispositivo semicondutor) ........ electrões de condução ........................... elemento de circuito parasita.................. emissor................................................... (montagem de) emissor comum ............. (montagem de) emissor comum inverso....................... – 190 – 521-04-14 521-04-15 521-04-12 521-04-04 521-04-16 521-04-11 521-04-40 521-04-39 521-04-37 521-04-08 521-04-10 521-04-09 521-04-19 521-04-20 521-04-18 521-04-17 521-04-03 521-04-05 521-04-06 521-04-30 521-11-16 521-04-24 521-11-14 521-04-02 521-11-15 521-11-01 521-04-31 521-04-01 521-04-02 521-04-41 521-05-27 521-05-33 521-03-05 521-07-08 521-02-57 521-01-22 521-01-20 521-01-23 521-01-21 521-09-01 521-02-84 521-02-85 521-02-85 521-02-83 521-01-18 521-05-01 521-02-14 521-05-36 521-07-04 521-07-15 521-07-18 energia de activação das impurezas ...... energia de ionização de um aceitador.... energia de ionização de um dador ......... epitaxia ................................................... estado condutor...................................... estado cortado........................................ estado cortado em sentido inverso (de um tiristor cortado em sentido inverso) ............................. estado trancado...................................... estatística de Fermi ................................ estatística de Fermi-Dirac....................... estatística de Maxwell-Boltzmann .......... F fonte (de um transistor de efeito de campo)............................................ fotoacoplador.......................................... fotodíodo ................................................ fotodíodo de avalanche .......................... fotoemissor............................................. fotorresistor ............................................ fototiristor................................................ fototransistor........................................... frequência da relação de transferência unitária de corrente.............................. frequência de corte................................. frequência de corte resistiva................... frequência de transição .......................... função de Fermi-Dirac ............................ funcionamento em modo de depleção ... funcionamento em modo de empobrecimento............................. funcionamento em modo de enriquecimento ............................... 521-02-05 521-02-44 521-02-43 521-03-12 521-08-07 521-08-08 521-08-09 521-10-11 521-01-15 521-01-15 521-01-03 521-07-07 521-04-45 521-04-32 521-04-44 521-04-35 521-04-43 521-04-72 521-04-51 521-07-22 521-05-20 521-06-04 521-07-21 521-01-16 521-07-10 521-07-10 521-07-11 G gerador de Hall....................................... grelha (de um transistor de efeito de campo)............................................ grelha de conexão (de um invólucro) ..... 521-07-09 521-05-32 I imperfeição (de uma rede cristalina) ...... implantação iónica.................................. impureza................................................. invólucro ................................................. isolante ................................................... 521-02-47 521-03-14 521-02-04 521-05-31 521-02-31 J junção..................................................... junção abrupta........................................ junção colectora ..................................... junção emissora ..................................... junção PN............................................... junção por difusão .................................. junção por estiramento ........................... junção por liga ........................................ junção progressiva ................................. 521-02-72 521-02-73 521-07-02 521-07-01 521-02-78 521-02-76 521-02-77 521-02-75 521-02-74 521-04-26 – 191 – L LED (abreviatura) ................................... lei de distribuição das velocidades de Fermi-Dirac-Sommerfeld ................ lei de distribuição das velocidades de Maxwell-Boltzmann......................... limite PN ................................................. M macrocélula ............................................ magnetómetro de efeito Hall .................. magnetorresistor..................................... matriz lógica programável ...................... matriz pré-difundida programável ........... memória associativa............................... memória de acesso directo .................... memória de acesso sequencial .............. memória de circuito integrado ................ memória de leitura.................................. memória de leitura e escrita ................... memória dinâmica de leitura e escrita .... memória endereçável pelo conteúdo...... memória estática de leitura e escrita ...... memória volátil ....................................... microcircuito ........................................... microconjunto ......................................... microelectrónica ..................................... micromontagem...................................... mobilidade (de um portador de carga).... mobilidade de Hall .................................. modulação da condutividade (de um semicondutor).......................... modulador de efeito Hall......................... módulo de díodo laser ............................ (número quântico de) momento angular total ......................... (montagem de) base comum.................. (montagem de) base comum inversa ..... (montagem de) colector comum ............. (montagem de) colector comum inverso....................... (montagem de) emissor comum ............. (montagem de) emissor comum inverso....................... multiplicador de Hall ............................... N nível aceitador ........................................ nível dador.............................................. nível de energia ...................................... nível de Fermi......................................... nível de impureza ................................... nível de superfície .................................. nível local ............................................... nivelamento por zona ............................. (número quântico de) momento angular total ......................... (número quântico de) spin...................... 521-04-39 521-01-19 521-01-05 521-02-65 521-11-22 521-04-28 521-04-29 521-11-02 521-11-03 521-11-13 521-11-08 521-11-12 521-11-05 521-11-06 521-11-07 521-11-10 521-11-13 521-11-09 521-11-11 521-10-02 521-10-04 521-10-01 521-10-04 521-02-58 521-09-04 521-02-55 521-04-25 521-04-38 521-01-11 521-07-13 521-07-16 521-07-14 521-07-17 521-07-15 521-07-18 521-04-27 521-02-41 521-02-40 521-01-12 521-01-17 521-02-36 521-02-42 521-02-35 521-03-04 521-01-11 521-01-10 60050-521 CEI:2002 número quântico (de um electrão num átomo dado)....... número quântico orbital .......................... número quântico principal ...................... número quântico secundário .................. 521-01-07 521-01-09 521-01-08 521-01-09 O optoacoplador......................................... 521-04-45 P parâmetros de circuito ............................ passivação de superfície ........................ película (de um circuito integrado em películas) ....................................... película espessa (de um circuito integrado em películas) ....................................... película fina (de um circuito integrado em películas) ....................................... penetração (entre duas junções PN)...... perfuração (de uma junção PN polarizada inversamente) .................... perfuração por avalanche (de uma junção PN semicondutora) .... perfuração por efeito térmico (de uma junção PN)............................. perfuração por efeito túnel (de uma junção PN)............................. perfuração por efeito Zener (de uma junção PN)............................. ponto de pico (de um díodo túnel).......... ponto de pico projectado (de um díodo túnel) ............................. ponto de retorno ..................................... ponto de vale (de um díodo túnel).......... porta ....................................................... porta (de um transistor de efeito de campo)............................................ portador .................................................. portador de carga ................................... portador em excesso .............................. portador maioritário ................................ portador minoritário ................................ princípio de exclusão de Pauli-Fermi ..... pulverização sob vácuo .......................... purificação por zona ............................... R RAM (abreviatura) .................................. receptor semicondutor fotoeléctrico ....... região de carga espacial ........................ região de carga espacial (de uma junção PN)............................. região de resistência diferencial negativa.............................. região de transição................................. região neutra .......................................... relação de Boltzmann............................. relação de magneto-resistência ............. 521-05-34 521-03-13 521-10-07 521-10-09 521-10-08 521-05-12 521-05-06 521-05-07 521-05-11 521-05-09 521-05-09 521-06-01 521-06-03 521-08-12 521-06-02 521-08-01 521-07-09 521-02-51 521-02-51 521-02-54 521-02-52 521-02-53 521-01-14 521-03-17 521-03-03 521-11-08 521-04-42 521-02-79 521-02-80 521-05-05 521-02-66 521-02-68 521-01-04 521-09-19 60050-521 IEC:2002 relação de transferência directa da corrente para pequenos sinais, com saída em curtocircuito.................. resistência aparente directa ................... resistência aparente no estado condutor .............................. resistência dinâmica directa ................... resistência dinâmica no estado condutor .............................. resistência térmica (de um dispositivo semicondutor) ...................................... ROM (abreviatura).................................. S semicondutor .......................................... semicondutor compensado .................... semicondutor composto ......................... semicondutor de tipo N........................... semicondutor de tipo P........................... semicondutor degenerado...................... semicondutor elementar ......................... semicondutor extrínseco ........................ semicondutor intrínseco ......................... semicondutor iónico................................ semicondutor não degenerado ............... sensibilidade à corrente de comando (de uma sonda de Hall) ....................... sensibilidade de magneto-resistência..... sensibilidade magnética (de uma sonda de Hall) ....................... sensor de imagem por transferência de carga............................................... sentido directo (de uma junção PN) ....... sentido inverso (de uma junção PN)....... sentido inverso de funcionamento .......... separação energética ............................. serigrafia................................................. sistema não quantificado (de partículas)...................................... sistema quantificado (de partículas) ....... sonda de Hall ......................................... (número quântico de) spin...................... substrato................................................. superfície efectiva de indução da malha de saída ............................... superfície efectiva de indução do anel da corrente de comando...................... superfície efectiva de indução do anel de saída............................................... T técnica de difusão................................... técnica de liga ........................................ técnica de microliga................................ técnica mesa .......................................... técnica planar ......................................... temperatura equivalente interna (de um dispositivo semicondutor) ........ – 192 – 521-07-19 521-06-05 521-08-13 521-06-05 521-08-13 521-05-13 521-11-06 521-02-01 521-02-11 521-02-03 521-02-09 521-02-10 521-02-13 521-02-02 521-02-08 521-02-07 521-02-06 521-02-12 521-09-13 521-09-20 521-09-12 521-11-17 521-05-03 521-05-04 521-07-12 521-02-24 521-03-16 521-01-01 521-01-02 521-04-28 521-01-10 521-05-28 521-09-08 521-09-09 521-09-08 521-03-08 521-03-07 521-03-10 521-03-11 521-03-09 521-05-14 temperatura virtual (de um dispositivo semicondutor) ........ 521-05-14 temperatura virtual (equivalente) de junção ....................... 521-05-15 tempo de armazenamento (dos portadores) .................................. 521-05-23 tempo de atraso ..................................... 521-05-21 tempo de descida ................................... 521-05-24 tempo de recuperação directo................ 521-05-25 tempo de recuperação inverso ............... 521-05-26 tempo de subida..................................... 521-05-22 tempo de vida no material (de portadores minoritários)................. 521-02-57 tensão de avalanche .............................. 521-05-08 tensão de comando induzida (de um dispositivo de efeito Hall)......... 521-09-16 tensão de corte (de um transistor de efeito de campo de depleção) ........ 521-07-23 tensão de disparo de porta..................... 521-08-15 tensão de Hall ........................................ 521-09-05 tensão de limiar (de um díodo ou de um tiristor)............ 521-05-19 tensão de limiar (de um transistor de efeito de campo por enriquecimento) ............ 521-07-24 tensão de não-disparo de porta.............. 521-08-16 tensão de Zener ..................................... 521-05-10 tensão flutuante...................................... 521-05-17 tensão principal ...................................... 521-08-04 tensão residual para um campo magnético nulo (de um dispositivo de efeito Hall)......... 521-09-15 tensão residual para uma corrente de comando nula (de um dispositivo de efeito Hall)......... 521-09-14 terminais de comando (de um gerador de Hall)....................... 521-09-07 terminais Hall.......................................... 521-09-06 terminais principais................................. 521-08-03 terminal (de um dispositivo semicondutor) ........ 521-05-02 termistor ................................................. 521-04-22 termoelemento semicondutor ................. 521-04-23 tiristor...................................................... 521-04-61 tiristor assimétrico .................................. 521-04-71 tiristor bloqueável ................................... 521-04-68 tiristor de porta N.................................... 521-04-70 tiristor de porta P .................................... 521-04-69 tiristor díodo bidireccional....................... 521-04-66 tiristor díodo bloqueado em sentido inverso .............................. 521-04-62 tiristor díodo conduzindo em sentido inverso .............................. 521-04-64 tiristor tríodo bidireccional....................... 521-04-67 tiristor tríodo bloqueado em sentido inverso .............................. 521-04-63 tiristor tríodo conduzindo em sentido inverso .............................. 521-04-65 transcondutância (de um transistor de efeito de campo) . 521-07-25 – 193 – transistor................................................. transistor bidireccional............................ transistor bipolar ..................................... transistor de efeito de campo ................. transistor de efeito de campo (metal-óxido-semicondutor) ................. transistor de efeito de campo de canal N ........................................... transistor de efeito de campo de canal P............................................ transistor de efeito de campo de depleção ......................................... transistor de efeito de campo de junção de porta ............................... transistor de efeito de campo de porta isolada ................................... transistor de efeito de campo metal-semicondutor ............ transistor de efeito de campo por empobrecimento............................ transistor de efeito de campo por enriquecimento .............................. transistor de junção ................................ transistor tétrodo..................................... transistor unipolar ................................... triac (abreviatura) ................................... V valor estático da relação de transferência directa da corrente .... velocidade crítica de crescimento da tensão no estado condutor ............. velocidade crítica de crescimento da tensão no estado cortado ............... velocidade de recombinação em superfície ....................................... visualizador optoelectrónico ................... Z zona de transição da concentração das impurezas ..................................... 521-04-46 521-04-49 521-04-47 521-04-52 521-04-55 521-04-56 521-04-57 521-04-58 521-04-53 521-04-54 521-04-60 521-04-58 521-04-59 521-04-47 521-04-50 521-04-48 521-04-67 521-07-20 521-08-19 521-08-18 521-02-56 521-04-36 521-02-67 60050-521 CEI:2002
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