Memórias
JEFFERSON EMMANUEL
JULIANA ANTONIASSI
NATAN VITOR
RICARDO SEIFERT
Tipos de memórias
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Volátil
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Não Volátil
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RAM
SIMM
DIMM
DDR
DDR2
DDR3
PROM
EPROM
EEPROM
FLASH
CACHE
Protótipos
Volátil
 RAM
Sigla RAM – Random Access Memory
Volátil
 SIMM
Sigla – Single In line Memory Module
É composta por vias em somente um dos lados do pente, temos pentes
compostos por 30 viase 16 vias.
Tamanhos disponíveis:
30-pin 256KB, 1MB, 4MB, 16MB
72-pin 1MB, 2MB,4MB, 8MB, 16MB, 32MB, 64MB, 128MB
Volátil
 DIMM
Sigla – Dual In line Memory Module
É um módulo de memória que contem conectores em ambos os lados
do pente, temos módulos DIMMs de 72 pinos, 168pinos e 184 pinos.
Velocidades:
PC66 = 66MHz
PC100 = 100MHz
PC133 = 133MHz
Volátil
 DDR SDRAM
Sigla – Double Data Rate
Synchronous Dynamic Random Access Memory
As DDRs são uma variação das DIMMs, ou seja, são DIMMs com
uma taxa de transferência dupla, as DDRs possuem uma latência
maior do que as DDRs2.
Tabela de velocidades:
DDR-200 100MHz
DDR-266 133MHz
DDR-333 166MHz
DDR-400 200MHz
PC-1600 1.600GB/s
PC-2100 2.133GB/s
PC-2700 2.667GB/s
PC-3200 3.200GB/s
Volátil
 DDR2 SDRAM
Sigla – Double Data Rate Two
Synchronous Dynamic Random Access Memory
As DDRs2 são memórias de aceso aleatório de sincronização dupla,
umas das diferenças positivas entre as DDRs e DDRs2 é o consumo
elétrico.
Taxas de transferência:
PC2-4200 4.264 BG/s
PC2-5300 5.336 BG/s
PC2-6400 6.400 BG/s
PC2-8500(Planejado) 8.500 BG/s
Volátil
 DDR3 SDRAM
Sigla – Double Data Rate Three
Synchronous Dynamic Random Access Memory
As DDRs3 vem com a promessa de uma redução de cerda de30% de
consumo em relação as DDRs2, além de ter uma baixo consumo, as
DDRs3, tem uma taca de transferência muito altas podendo chegar aos
1600MHz.
Volátil
SIMM
DIMM
Volátil
DDR
DDR2
DDR3
Não Volátil
 PROM (Programmable Read-only Memory)
Uma forma de memória digital onde o estado de cada bit está trancado
por um fusível ou antifusível.
A memória pode ser programada só uma vez a programação é feita pela
aplicação de pulsos de alta voltagem, que não são encontrados durante
a operação normal.
Não volátil
 EPROM (Erasable Programmable Read-Only
Memory)
É um tipo de chip de memória de computador que mantém seus dados
quando a energia é desligada.Uma vez programado, uma EPROM pode
ser apagada apenas por exposição a uma forte luz ultravioleta.
Não Volátil
 EEPROM ( Electrically-Erasable Programmable
Read-Only Memory )
É um chip de armazenamento não-volátil usado em computadores e
outros aparelhos.Ao contrário de uma EPROM, uma EEPROM pode ser
programada e apagada várias vezes, eletricamente.
Não Volátil
 FLASH
Memória Flash é uma memória de computador do tipo EEPROM que
permite que múltiplos endereços sejam apagados ou escritos numa só
operação.
Em termos leigos, trata-se de um chip reescrevível que, ao contrário de
uma RAM, preserva o seu conteúdo sem a necessidade de fonte de
alimentação.
Não Volátil
 CACHE
Memória Cache é uma pequena quantidade de memória estática de alto
desempenho, tendo por finalidade aumentar o desempenho do
processador realizando uma busca antecipada na memória RAM. A
taxa de acerto típica pode variar entre 80% e 99%.
Não Volátil
 CACHE
 L1
Uma pequena porção de memória estática presente dentro do
processador.
Em alguns tipos de processador, como o Pentium 2, o L1 é dividido,
em dois níveis: dados e instruções, que "dizem" o que fazer com os
dados.
A partir do Intel 486, começou a se colocar a L1 no próprio
processador. Geralmente tem entre 16KB e 512KB. O AMD Semprom
2600+ possui 64KB de cache L1.
Não Volátil
 CACHE
 L2
Possuindo o Cache L1 um tamanho reduzido e não apresentando
uma solução ideal, foi desenvolvido o cache L2, que contém muito
mais memória que o cache L1.
Ela é mais um caminho para que a informação requisitada não tenha
que ser procurada na lenta memória principal.
Não Volátil
 CACHE
 L2
Alguns processadores colocam essa cache fora do processador, por
questões econômicas, pois uma cache grande implica num custo
grande , mas há exceções, como no Pentium II, por exemplo, cujas
caches L1 e L2 estão no mesmo cartucho que está o processador.
Não Volátil
 CACHE
 L3
Terceiro nível de cache de memória. Inicialmente utilizado pelo AMD
K6-III utilizava o cache externo presente na placa-mãe como uma
memória de cache adicional. Ainda é um tipo de cache raro.
Ainda, pois a complexidade dos processadores atuais, com suas áreas
chegando a milhões de transístores por micrômetros ou picômetros
de área, ela será muito útil.
Talvez, no futuro, seja necessário um cache L4, ou até mais.
Protótipos
 Memória Magnética
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IBM e Infineon apresentam protótipo de memória magnética.
Magnetoresistive Random Access Memory (MRAM): memórias feitas
de materiais magnéticos, que não perdem as informações quando o
computador é desligado.
O protótipo de 16 Mbit agora apresentado é cerca de 1000 vezes mais
rápido do que as memórias flash atuais, que também não perdem os
dados na ausência de energia.
Protótipos
 Memória de alteração de fase
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Novo material gera memória não volátil 500 vezes mais rápida que
memória Flash.
Memória de alteração de fase: é mais rápida e pode ser mais
miniaturizada do que as memórias Flash.
Opera a uma velocidade que é 500 vezes mais rápida do que as
memórias Flash e utilizando apenas metade da energia necessária
para se gravar em cada célula.
A célula, a unidade básica da memória, mede apenas 3 nanômetros
de largura por 20 nanômetros de comprimento.
Protótipos
 Memória de nanofios
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Memória de nanofios pode guardar dados por até 100.000 anos.
Cientistas da Universidade da Pensilvânia, nos Estados Unidos,
desenvolveram nanofios capazes de armazenar dados e recuperá-los
1.000 vezes mais rápido do que as memórias sólidas atuais, como as
memórias flash.
Os cálculos dos cientistas estimam que os dados fiquem
armazenados em segurança por 100.000 anos.
Os nanofios são uma espécie de liga semicondutora que é
considerada uma das mais promissoras para a construção de uma
nova geração de memórias de computador.