Departamento de Engenharia Electrotécnica Cursos de Engenharia Electrotécnica e Electrónica e Computadores Electrónica I Colectânea de problemas Cap. 2 - Transistores de junção bipolar (BJT) Moisés de Brito, Luís Veríssimo Abril de 2002 Departamento de Engenharia Electrotécnica Colectânea de problemas Capítulo 2 – Transistores de junção bipolar (BJT) P-1 Considere o circuito da figura P1 em que o transístor tem as seguintes caracteristicas: β=100, VBEon=0,7V. Calcule o valor das correntes IB, IC e IE e da tensão VCE. RB RC 200kΩ 1kΩ VCC 12V Figura P1 R: IB=56,5µA; I C=5,65mA; IE=5,71mA; VCE =6,35V P-2 Considere os circuitos das figuras P2.1 a P2.3. Calcule para cada um deles o valor das correntes IB, IC e IE e o valor da tensão VCE (ou VEC) tendo em conta que os transistores apresentam as seguintes características: NPN => β=200, VBEon=0,7V; PNP => β=100, VEBon=0,7V. +10V +10V +10V RC RE 5k Ω 10k Ω RB VB 6V RE 330k Ω RC RC 5kΩ 10k Ω 5kΩ -10V -10V Figura P2.1 Figura P2.2 R: IB=4,63µA; I C=0,926mA; R: IB=10µA; I C=1mA; R: IB=9,21µA; I C=0,92mA; IE=0,93mA; VCE=6,075V IE=1,01mA; VEC=5V IE=0,93mA; VEC=6,1V P-3 O transístor da figura P3 apresenta as seguintes características: β=100, VBEon=0,6V, e VCEsat =0,2V; o díodo tem um Vγ=0,7V e VCC=12V; calcule o PFR do circuito. Figura P2.3 VCC R1 R2 10k Ω R: PFR=> VCE =6,25V; IC=5mA D 10k Ω RE 1kΩ Figura P3 Electrónica I – Cursos de Engª Electrotécnica e Electrónica e Computadores Pág. 1 Departamento de Engenharia Electrotécnica P-4 +15V Para o circuito da figura P4, considerando VBEon=0,7V, calcule o PFR do circuito, para: R3 R1 3,3kΩ 100kΩ a) b) c) β = 50 β = 100 β = 500 R2 R4 10kΩ 3,3kΩ R: a) VCE =13,76V; IC=0,185mA; b) VCE =13,71V; IC=0,194mA; Figura P4 c) VCE =13,68V; IC=0,199mA. P-5 Considerando o circuito da figura P5, calcule o valor da corrente nas resistências R1 , R2 e R3 [ β=150, VBEon =0,7V e VCEsat=0,2V]. R1 R2 100kΩ 10kΩ VCC I1 20µA +10V R3 1kΩ R: IR1 =24µA; IR1 =629µA; IR1 =605µA ; Figura P5 P-6 Calcule o PFR do transístor do circuito da figura P6. [β=200, VEBon=0,7V e VECsat=0,2V]. R1 47k Ω RC 1kΩ VCC R2 R: PFR=> VEC=0,2V; IC=18mA 47k Ω 20V RE 100Ω Figura P6 Electrónica I – Cursos de Engª Electrotécnica e Electrónica e Computadores Pág. 2 Departamento de Engenharia Electrotécnica P-7 Considere o circuito da figura P7.2, em que o transistor tem as seguintes características: β=50, VBEon =0,7V, e VCEsat=0,2V; Calcule: a) O valor das correntes IB, IC e IE e da tensão no colector, VC, para Vi=0V. b) O valor das correntes IB, IC e IE e da tensão no colector, VC, para Vi=10V. c) Esboce as formas de onda da corrente no colector (IC) e da tensão no colector (VC) quando Vi tem a forma de onda representada na figura P7.1. VCC 15V RC 100kΩ Vi 10V RB Vi 1,5kΩ VO 0 t Figura P7.1 Figura P7.2 R: a) IB=IC=IE=0A; VCE =15V b) IB=0,93mA; IC=14,8mA; IE=15,73mA; VCE =0,2V. Electrónica I – Cursos de Engª Electrotécnica e Electrónica e Computadores Pág. 3