Departamento de Engenharia Electrotécnica
Cursos de Engenharia Electrotécnica
e
Electrónica e Computadores
Electrónica I
Colectânea de problemas
Cap. 2 - Transistores de junção bipolar (BJT)
Moisés de Brito, Luís Veríssimo
Abril de 2002
Departamento de Engenharia Electrotécnica
Colectânea de problemas
Capítulo 2 – Transistores de junção bipolar (BJT)
P-1
Considere o circuito da figura P1 em que o
transístor tem as seguintes caracteristicas: β=100,
VBEon=0,7V. Calcule o valor das correntes IB, IC
e IE e da tensão VCE.
RB
RC
200kΩ
1kΩ
VCC
12V
Figura P1
R: IB=56,5µA; I C=5,65mA; IE=5,71mA; VCE =6,35V
P-2
Considere os circuitos das figuras P2.1 a P2.3. Calcule para cada um deles o valor das correntes
IB, IC e IE e o valor da tensão VCE (ou VEC) tendo em conta que os transistores apresentam as
seguintes características: NPN => β=200, VBEon=0,7V; PNP => β=100, VEBon=0,7V.
+10V
+10V
+10V
RC
RE
5k Ω
10k Ω
RB
VB
6V
RE
330k
Ω
RC
RC
5kΩ
10k Ω
5kΩ
-10V
-10V
Figura P2.1
Figura P2.2
R: IB=4,63µA; I C=0,926mA;
R: IB=10µA; I C=1mA;
R: IB=9,21µA; I C=0,92mA;
IE=0,93mA; VCE=6,075V
IE=1,01mA; VEC=5V
IE=0,93mA; VEC=6,1V
P-3
O transístor da figura P3 apresenta as seguintes
características: β=100, VBEon=0,6V, e VCEsat =0,2V; o díodo
tem um Vγ=0,7V e VCC=12V; calcule o PFR do circuito.
Figura P2.3
VCC
R1
R2
10k Ω
R: PFR=> VCE =6,25V; IC=5mA
D
10k Ω
RE
1kΩ
Figura P3
Electrónica I – Cursos de Engª Electrotécnica e Electrónica e Computadores
Pág. 1
Departamento de Engenharia Electrotécnica
P-4
+15V
Para o circuito da figura P4, considerando VBEon=0,7V,
calcule o PFR do circuito, para:
R3
R1
3,3kΩ
100kΩ
a)
b)
c)
β = 50
β = 100
β = 500
R2
R4
10kΩ
3,3kΩ
R: a) VCE =13,76V; IC=0,185mA;
b) VCE =13,71V; IC=0,194mA;
Figura P4
c) VCE =13,68V; IC=0,199mA.
P-5
Considerando o circuito da figura P5, calcule o valor da
corrente nas resistências
R1 , R2 e R3 [ β=150,
VBEon =0,7V e VCEsat=0,2V].
R1
R2
100kΩ
10kΩ
VCC
I1
20µA
+10V
R3
1kΩ
R: IR1 =24µA; IR1 =629µA; IR1 =605µA ;
Figura P5
P-6
Calcule o PFR do transístor do circuito da figura P6.
[β=200, VEBon=0,7V e VECsat=0,2V].
R1
47k Ω
RC
1kΩ
VCC
R2
R: PFR=> VEC=0,2V; IC=18mA
47k Ω
20V
RE
100Ω
Figura P6
Electrónica I – Cursos de Engª Electrotécnica e Electrónica e Computadores
Pág. 2
Departamento de Engenharia Electrotécnica
P-7
Considere o circuito da figura P7.2, em que o transistor tem as seguintes características: β=50,
VBEon =0,7V, e VCEsat=0,2V; Calcule:
a) O valor das correntes IB, IC e IE e da tensão no colector, VC, para Vi=0V.
b) O valor das correntes IB, IC e IE e da tensão no colector, VC, para Vi=10V.
c) Esboce as formas de onda da corrente no colector (IC) e da tensão no colector (VC)
quando Vi tem a forma de onda representada na figura P7.1.
VCC
15V
RC
100kΩ
Vi
10V
RB
Vi
1,5kΩ
VO
0
t
Figura P7.1
Figura P7.2
R: a) IB=IC=IE=0A; VCE =15V b) IB=0,93mA; IC=14,8mA; IE=15,73mA; VCE =0,2V.
Electrónica I – Cursos de Engª Electrotécnica e Electrónica e Computadores
Pág. 3
Download

Colectânea sobre BJT`s