Revisão de Equações Básicas MOS de 2, 3 e 4 terminais VGB ox S MS Q Q Q Q Q Q Q 0 ' G ' o ' C ' G ' o ' I ' B Q C ox ' G ' ox Q 2q S N A S C ' B ' ox [ S ( 2 F VCB )] / t Q 2q s N A ( S t e ' I VGB S S ) Q Q VFB S ' Cox ' B ' I [ S ( 2 F VCB ) t VFB S S t e S x VGB parametrizado com VCB: Fig. 3.3 2 sa VGB VFB 2 4 d S n dVGB n 1 1 2 sa (VGB ) 2 3.4 Regiões de Inversão 3.4.1 Limites Aproximados VLB VFB ( F VCB ) F VCB VL VLB VCB VL VFB F F VCB VMB VFB (2 F VCB ) 2 F VCB VM VMB VCB VM VFB 2 F 2 F VCB VH VHB VCB VH VM VZ VT VTB VCB VFB 0 0 VCB VT VT 0 ( 0 VCB o ) VT 0 VFB 0 0 VM VFB 2 F 2 F VCB VL VFB F F VCB Inv. Forte: Q C (VGC VT ) Inv. Fraca: Q ' I ' ox 2q s N A ' I Q ' I Q Q e ' I ' M onde: Q ' M 2 s t e 2q s N A 2 2 F V ' CB (VGC VM ) nt 2q S N A 2 2 F V ' CB 2 e t Q (VGC VM ) Q (VGB VMB ) ' I ' I s 2 F VCB t s t ' V F CB t