INLUÊNCIA DA MICROESTRUTURA NO COEFICIENTE SEEBECK DE LIGAS DE
SiGe PREPARADAS POR DIVERSOS MËTODOS
Paulo Conrado Kemmelmeier, Lucas Máximo Alves
Centro Interdisciplinar de Pesquisa em Materiais, Universidade Estadual de Ponta
Grossa-CIPEM-UEPG, Al. Nabuco de Araújo 469, Cx. Postal: 1009, CEP- 84100510, Ponta Grossa -PR, Brasil, [email protected]
RESUMO
Neste trabalho, ligas de Si80Ge20 foram preparadas por diversas técnicas:
Fusão Convencional com posterior resfriamento brusco em solução aquosa de NaCl
e Crescimento de Cristal Czochralski com campo elétrico aplicado durante a
solidificação, seguida dos processamentos cerâmicos: PIES (pulverização e
intermistura de elementos da sinterização), Método Convencional e Hot Pressing
(prensagem isostática a quente).Caracterizou-se as amostras através de seu
coeficiente Seebeck, em função da temperatura. As amostras obtidas por Fusão
Convencional, apresentavam um coeficiente que aumentava até 125 oC, depois
mantinha-se constante. As amostras obtidas por Crescimento de Cristal
apresentaram coeficientes muito baixos a temperaturas baixas, sendo que este
aumentava lentamente com a temperatura. As amostras obtidas pelo Método
Convencional apresentavam um coeficiente que aumentava sensivelmente com a
temperatura. Já as amostras preparadas por Prensagem a Quente apresentavam
um coeficiente menor, sendo que este também se mantinha constante com a
temperatura. As amostras preparadas pelo método PIES demonstraram um
coeficiente maior do que as demais, entretanto este coeficiente mantinha-se
constante com a elevação da temperatura. Isto permite concluir que o método PIES
pode ser eficiente na confecção de geradores termoelétricos que operem a baixas
temperaturas, enquanto que o Método Convencional para geradores que operem em
temperaturas maiores.
ABSTRACT
In this work, alloys of SiGe were prepared by several techniques:
Conventional Fusion with rapid solidification in an aquous solution of NaCl) and
cristal growth by Czochralski Techinique using an electrical field applied during the
solidification, following the ceramic processing: PIES (Pulverized Intermixing
Elements of Sintering), Conventional Method and Hot-). The caracterization of the
samples was made by the measure of the thermoelectrical power (or Seebeck
coeficient), in function of temperature. The samples prepared by PIES method
showed a Seebeck coeficient major than of the others. But, this coeficient maintain
constant) with the temperature rising. By other side, the samples prepared by HotPressing showed a coeficient minor, being that, this coeficient maintain constant with
the temperature too. the samples prepared by Conventional Method showed a
coeficient that rise rapidly with the temperature. The samples prepared by cristal
growth showed coeficients lower at low temperatures, being that, this rising slowly
with the temperature. The samples prepared by Conventional Fusion, showed a
coeficient that rised until 125oC, after this maintained constant. This permit conclude
that PIES method can be efficient in Thermoelectrical Generator that operate at low
temperatures, while Conventional Method to Generators that operate at high
temperatures.