CAMPUS HORTOLÂNDIA Eletrônica Analógica 1 (EA1E1) - Eletroeletrônica T U R M A : EA1E1 - Noturno / ^ y t > f,^ PROFESSOR: NILTON Prova 1 Nome: f\eS^(^C^ Pront: Data: 31/03/2014 1. (2 p o n t o s ) A s s i n a l e c o m (V) a alternativa v e r d a d e i r a e (F) a falsa: a) O s materiais i s o l a n t e s o f e r e c e m u m a alta resistência à p a s s a g e m d e c o r r e n t e elétrica, c o m o p o r e x e m p l o : plásticos, m a d e i r a s e c a , m i c a e vidros. b) (/- ) C a m a d a d e v a l ê n c i a é á^primeira c a m a d a d a e l e t r o s f e r a d e u m á t o m o e p o s s u i a c a r a c t e r í s t i c a d e f o r m a r ligações c o m o s á t o m o s v i z i n h o u . c) ( p ) I m p u r e z a s j ^ e n t a v a l e n t e s j ã o ^ e l e m e n t o s q u í m i c o s q u e p o s s u e n ^ 4 e j ê t r o n s na c a m a d a d e d) (\f) D i o d o s e m i c o n d u t o r é u m dispositivo e l e t r ô n i c o f o r m a d o pela u n i ã o d e u m cristal s e m i c o n d u t o r tipo "P", c o m outro tipo " N " , f o r m a n d o na j u n ç ã o u m a barreira d e potencial q u e p e r m i t e a p a s s a g e m d e c o r r e n t e elétrica e m a p e n a s u m sentido. v a l ê n c i a , c o m o o Fòstorõ~(pY A r s ê n i o (As). e) {jr) A p o l a r i z a ç ã o direta d o d i o d o c o n s i s t e e m se.ligar o t e r m i n a l d o C á t o d o (k) no polo n e g a t i v o (+) J d e u m a bateria e o  n o d o ( A ) n o positivo (-), e n e s t e c a s o o d i o d o d e i x a p a s s a r c o r r e n t e elétrica. 2. (1 p o n t o s ) C a l c u l e a p o t ê n c i a d i s s i p a d a e m u m d i o d o d e Silício p o l a r i z a d o d i r e t a m e n t e s e a t e n s ã o d o diodo for d e 0,75V e a corrente d e 100mA 1= 100 mA D L Pz v / X r o 7 S T . o / r ( 0.75 V õtOlS** 3. (1 ponto) C a l c u l e a c o r r e n t e d o d i o d o d e silício 1 N 4 1 4 8 , s a b e n d o - s e q u e este d i o d o está s u b m e t i d o a u m a p o t ê n c i a d e 9 0 m W , q u a n d o p o l a r i z a d o d i r e t a m e n t e c o m u m a t e n s ã o d e 0,9V. Ci t A - (oo/nA 4. (2 p o n t o s ) C a l c u l e a resistência e a p o t ê n c i a d e R S para q u e o L E D d o circuito a b a i x o f i q u e p o l a r i z a d o no s e u p o n t o q u i e s c e n t e ( V = 2 V e l = 2 0 m A ) . L E D L E D te? - ' 2 RS = ££o o ^ 2oo Obs: É o b r i g a t ó r i o a p r e s e n t a r a r e s o l u ç ã o dos e x e r c í c i o s na p r o v a . BOA PROVA! CAMPUS HORTOLÂNDIA 5. (4 p o n t o s ) D a d o o circuito a b a i x o e a c u r v a característica do d i o d o , c a l c u l e os p o n t o s de s a t u r a ç ã o e corte, trace a reta de c a r g a , d e t e r m i n e e m a r q u e o p o n t o q u i e s c e n t e no gráfico, e verifique e a n o t e a c o r r e n t e e a t e n s ã o q u i e s c e n t e d o d i o d o e c a l c u l e a p o t ê n c i a d i s s i p a d a pelo d i o d o no circuito. RS 50 Q ID mA 80 6C gr -f .....':• T : ... .J 4-- --\ • ! 4- -•«•• • f f f.1. •* •t 4- 1-H -•fT T T .... i " -1—j— +• l i í" " : i . HH 5- ••»-- L !• -4- 44 A 4!" 0,2 0.4 — 0,6 X. ID = c) P o n t o q u i e s c e n t e : ID = d) P o t ê n c i a do d i o d o : PD = - -!- • i. -« .... .......- r 4 -- ' Í" • r 'V' .< i \; : 1,2 1,4 1,6 1,8 mA; VD = O' ~> ^ n ZÉ •- -- - _ a) Ponto de s a t u r a ç ã o : ID = b) Ponto de corte: - «ísa 1,0 *- ......... . •4- ....•4. ..... * r* •<•• í- f 4—J—i— 0.3 -- T •- T* .... .1. -- í- 11 J • i--•*•- .(.. - ~...... .... .... .... .... - i ~ -»-- - : •f" • f* : .... •4—4-•4- ••• Q > ..j... ........................ ......... "Tí* o, 2 4- 4— 4" -4- - - 4 -f- Is, ; - -- : 2,0 ó- 2,2 2,4 — -4- trr ' ' 2,6 VDIv: V mA; VD = V mA; V D = ^ , ^ J ^ V mW 0,82^ 0,018 S I Obs: É o b r i g a t ó r i o a p r e s e n t a r a r e s o l u ç ã o dos e x e r c í c i o s na p r o v a . BOA PROVA!