NANOMATERIAIS
ALUNO: GELSON GOMES ALVES
20901844
• O que é CVD?
• Tipos de CVD
– MO-CVD, PE-CVD, etc
• CVD processos / aplicações
http://www.nature.com/srep/2013/130215/srep01172/fig_tab/srep01172_F1.html
• Chemical vapor deposition (CVD) é um processo químico
utilizado para a produção de materiais sólidos de alta
pureza e de alto desempenho.
• O processo é frequentemente utilizado na indústria de
semicondutores para produzir filmes finos.
• Num processo típico de CVD, a pastilha (substrato) é
exposta a um ou mais precursores de voláteis, que
reagem e / ou decompõem-se na superfície do substrato
para produzir o depósito pretendido.
http://en.wikipedia.org/wiki/Chemical_vapor_deposition
• Chemical Vapor Deposition é a formação de uma
película não volátil sólida sobre um substrato por meio
da reação de produtos químicos na fase de vapor
(reagentes) que contêm os componentes necessários.
• Os gases reagentes são introduzidos numa câmara de
reação e são decompostas e reage a uma superfície
aquecida de modo a formar a película fina.
• Processos de microfabricação amplamente utilizados
CVD para depositar materiais em várias formas,
incluindo: policristalino, monocristalino, amorfa, e
epitaxial.
• Estes materiais incluem: silício, fibra de carbono,
nanofibras de carbono, filamentos, nanotubos de
carbono, SiO2, silício, germânio, tungsténio, carboneto
de silício, nitreto de silício, oxinitreto de silício, nitreto
de titânio, e vários high-k dieléctricos.
• O processo de CVD também é usado para produzir
diamantes sintéticos.
http://en.wikipedia.org/wiki/Chemical_vapor_deposition
• Na técnica de deposição física de vapor, o material é aquecido para
produzir um vapor, que é então introduzido através dos poros do
molde e arrefecida até solidificar.
• A deposição de vapor é normalmente capaz de preparar os
nanofios de menor diâmetro (• 20 nm).
• Filamento quente de deposição de vapor químico. Utiliza o metano e
o gás hidrogênio como fonte e filamentos de tungstênio.
• Crescimento como diamante nanocristalino de carbono amorfo e
nanotubos de carbono.
• Pirometro Cyclop 100 é utilizado para medir tanto o filamento e a
temperatura da amostra.
• Fase de aquecimento opcional programável permite controlar
temperaturas de substrato até 800 C com termopar.
Horizontal APCVD Reactor
Chemical Vapor Deposition Apparatus
http://en.wikipedia.org/wiki/Chemical_vapor_deposition
Chemical Vapor Deposition Apparatus
http://en.wikipedia.org/wiki/Chemical_vapor_deposition
Fonte:
http://www.hlphys.jku.a
t/fkphys/epitaxy/mocv
d.html
VANTAGEM
• Minimiza os impactos dos processos em alta
temperatura anteriormente utilizados.
DESVANTAGENS
A REAÇÀO DE CVD É MUITO COMPLEXA E ENVOLVEUMA SÉRIE DE
REAÇÒES.
• CVD é uma família de técnicas
- CVD, PVD, PE-CVD, MO-CVD
• Química em fase de vapor
• Reações na superfície do substrato
• O plasma pode "melhorar" as condições de reação
• Usado principalmente na indústria de semicondutores
CONCLUSÀO DO ARTIGO
VAPOR PHASE SYNTESIS OF TUNGTEN NANOWIRES
• Demonstrou com sucesso a fase de vapor técnica em
que a condensação do óxido de espécies acima das
suas temperaturas de decomposição leva ao
crescimento de nanofios metálicos. O aumento da
temperatura para além da temperatura de decomposição
reduziu o diametro dos nanofios.
• Esta técnica pode ser estendida para a sintese dos
nanofios de metal.
• Microelectronics Processing Course - J. Salzman - Jan.
2002 . Microelectronics Processing Chemical Vapor
Deposition
• http://en.wikipedia.org/wiki/Chemical_vapor_deposition
• Microelectronics Processing Course - J. Salzman – Fall
2006 . Microelectronics Processing . Ion Implantation
• American Vacuum Society (AVS)
• “A mente que se abre a uma nova ideia
jamais volta ao seu tamanho original.” Albert Einstein