Administração Sistemas
Informáticos I
Memória RAM
4º Ano
Turma: C
Grupo 1
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Memória RAM (Random Access Memory)
Memória de acesso aleatório é utilizado para armazenar dados e programas
que estão a ser usados em tempo de execução.
Vantagens:
Velocidade;
Flexibilidade.
Desvantagens:
Volatilidade.
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Formatos de memória
•
Descontinuados:
– DIP (Dual Inline Package), soldados na placa PCB
– SIPP (Single Inline Pine Package), mais fácil de manipular
– SIMM (Single Inline Memory Module), existem os de 30
vias e de 72 vias
– RIMM (Rambus Inline Memory Module), é um formato
proprietário de suporte à tecnologia RDRAM
• Actuais
– DIMM (Dual Inline Memory Module), existem 3 tipos: 168,
184 e 240 vias
– SODIMM (Small Outine DIMM), são usadas nos portáteis
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Tecnologias de memória RAM:
DRAM – Dynamic Random Acess
Memory
É uma tecnologia de memória em que os
chips estão organizados numa matriz de
células de memória. Cada célula serve para
armazenar bits que podem ser extraídos
indicando a sua linha e coluna (direcção).
Existem 4 tecnologias derivadas da DRAM:




FPM - Fast Page Mode;
EDO - Extended Data Out;
SDRAM - Synchronous DRAM;
RDRAM - Rambus DRAM.
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FPM – uma tecnologia de rápido acesso aos dados que estão na mesma linha de
memória, esta foi a primeira tecnologia a aparecer e no entanto ainda se pode
encontrar nos módulos DIMM 168 vias e SODIMM.
EDO – evolução da FPM, em que a leitura dos dados foi optimizada, permitindo um
ganho de 10 a 20% em relação ao desempenho do sistema.
SDRAM – permite que as memórias sejam sincronizadas com o processador,
evitando que o processador espere pelos dados.
RDRAM – Tecnologia inovadora, extremamente rápida e com taxas de transferência
elevadas, mas como é uma tecnologia proprietária os fabricantes de placas mãe
deixaram de suportar esta tecnologia.
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Tecnologias actuais:
• DDR-SDRAM (Double Data Rate SDRAM)
– Transferem dados duas vezes em cada ciclo de relógio, na subida e na
descida do sinal.
• DDR II-SDRAM
– Transferem dados quatro vezes em cada ciclo de relógio, dois impulsos
duplos em cada ciclo.
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Desempenho das
diferentes
tecnologias, com
velocidades de
memória idênticas
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Outras tecnologias relacionadas com a RAM
Verificação de erros:
Paridade – analisa os bits de memória através da contagem de número de bits a um, detectando
possíveis erros mas, no entanto, não os consegue corrigir.
ECC (Error Correction and Control) – detecta e corrige os erros de memória automaticamente, só
os consegue corrigir caso o erro seja apenas de um bit. Caso contrário apenas informa o
processador que houve um erro.
Chipkill – método semelhante ao ECC, é mais eficaz do que o anterior porque fornece uma
correcção de erros até quatro bits.
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Aumento de desempenho de Memória
CAS (Column Address Strobe) Latency
É o tempo de espera entre o pedido do processador e a resposta da memória.
O funcionamento do CAS baseia-se com é lida a informação da memória.
Arquitectura “Single-Channel” e “Dual-Channel”
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Futuro das RAM
Em relação às memórias XDR (Extreme Data Rate) da Rambus preve-se
que a sua velocidade dobre até 2006, graças à tecnologia ODR (Octal Data
Rate).
As memórias XDR já enfrentam dificuldades com a concorrência, DDR II e
a MRAM.
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